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SB3100L

产品描述肖特基二极管
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小45KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SB3100L概述

肖特基二极管

功能特点

产品名称:肖特基二极管


产品型号:SB3100L


参数:


重复反向电压峰值Vrrm:100V


最大平均整流电流Io:3A


最大前向浪涌电流I FSM:200A


正向压降VF:0.74V 当IF=3A时


最大反馈电流IR: 50uA 当VR=100V


封装:DO-201AD


SB3100L规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-201AD
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

SB3100L文档预览

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SB3100L
LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• For use in low voltage,high frequency inverters ,free wheeling ,
and polarity protection applications .
0.375(9.5)
0.285(7.2)
1.0(25.4)MIN.
0.052(1.3)
0.048(1.2)
100 Volts
CURRENT
3 Amperes
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
• Case: DO-201AD Molded plastic
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: Color band denotes cathode
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0395 ounces, 1.122 grams
1.0(25.4)MIN.
0.210(5.3)
0.188(4.8)
MAXIMUM RATINGS (T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum rms voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
I
F(AV)
I
FSM
R
Θ
JA
T
J
T
STG
VALUE
100
70
3
200
45
-55 to + 150
-55 to + 150
UNIT
V
V
A
A
o
C/W
o
C
C
o
ELECTRCIAL CHARACTERISTICS (T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Breakdown voltage
SYMBOL
V
BR
TEST CONDITIONS
I
R
=0.5mA
I
F
=1A
I
F
=3A
I
F
=1A
I
F
=3A
V
R
=70V
T
A
=25
o
C
T
A
=125
o
C
TYP.
100
0.50
0.68
0.42
0.56
4
MAX.
-
-
0.74
-
0.6
-
50
50
UNIT
V
V
V
μA
μA
mA
Instantaneous forward voltage
V
F
Reverse current
I
R
V
R
=100V
T
A
=25
o
C
T
A
=125
o
C
-
-
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