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SV5100T/R7

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, TO-277, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小206KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SV5100T/R7概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, TO-277, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

SV5100T/R7规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-277
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-277
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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SV540 / SV5100
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Ideal for automated placement
• High efficiency Operation
• Low thermal resistance
• Green
40-100 Volts
CURRENT
5 Amperes
0.172(4.35)
0.167(4.25)
0.048(1.20)
0.039(1.00)
0.243(6.15)
0.238(6.05)
0.262(6.65)
0.250(6.35)
0.128(3
.
25) 0.085(2
.
15)
0.076(1
.
95)
0.052(1.30)
0.044(1.10)
0.083(2
.
10)
0.183(4.65)
0.171(4.35)
0.043(1.10)
0.035(0.90)
MECHANICAL DATA
Case : TO-277, Plastic
Weight: 0.0038 ounces, 0.1073 grams
0.136(3
.
45)
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25 C unless otherwise noted)
PA RA M E TE R
M a r k i ng C o d e
M a xi m um Re c ur r e nt P e a k Re ve r s e Vo l ta g e
M a xi m um RM S Vo lta g e
M a xi m um D C B lo c k i ng Vo l ta g e
M a xi m um A ve r a g e F o r wa r d C ur r e nt a t Te m p = 7 5
O
C
P e a k F o r wa r d S ur g e C ur r e nt :8 .3 m s s i ng le ha l f s i ne - wa ve
s up e r i m p o s e d o n r a t e d lo a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r wa r d Vo lt a g e a t 5 A
M a xi m um D C Re ve r s e C ur r e nt
Typ i c a l J unc ti o n c a p a c i ta nc e a t V
R
= 0 V, f= 1 M H
Z
Typ i c a l The r m a l Re s i s t a nc e , J unc t i o n t o A m b i e nt ( No te 1 )
J unc ti o n to L e a d ( No te 2 )
O p e r a ti ng J unc ti o n Te m p e r a tur e a nd S to r a g e Te m p e r a tur e Ra ng e
V
RRM
V
RMS
V
R
I
O
I
F S M
V
F
I
R
C
J
R
Θ
JA
R
Θ
JL
T
J
,T
S TG
0 .5 2
250
730
80
15
- 5 5 to + 1 5 0
S YM B OL
SV540
SV540
40
28
40
5
150
0 .8 7
15
475
O
o
SV5100
SV5100
100
70
100
0.014(0.35)
0.009(0.25)
UNITS
V
V
V
A
A
V
μ
A
pF
C /W
O
C
NOTES:
1.Mounted on minimum pad layout.
2.Mounted on 50cm copper pad area.
2
August 04,2011-REV.00
PAGE . 1
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