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JANTXV2N6678

产品描述Power Bipolar Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小170KB,共3页
制造商Aeroflex
官网地址http://www.aeroflex.com/
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JANTXV2N6678概述

Power Bipolar Transistor,

JANTXV2N6678规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)15 A
基于收集器的最大容量500 pF
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)8
最大降落时间(tf)500 ns
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量2
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值175 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500
最大上升时间(tr)600 ns
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)3000 ns
最大开启时间(吨)700 ns
VCEsat-Max1 V
Base Number Matches1

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NPN High Power Silicon Transistors
2N6676 & 2N6678
Features
Available in JAN, JANTX, and JANTXV
per MIL-PRF-19500/538
TO-3 (TO-204AA) Package
Maximum Ratings
Ratings
Collector - Emitter Voltage
Collector - Base Voltage
Collector - Base Voltage
Emitter - Base Voltage
Base Current
Collector Current
Total Power Dissipation @ TA = +25 °C (1)
@ TA = +25 °C
Operating & Storage Temperature Range
Symbol
VCEO
VCBO
VCEX
VEBO
IB
IC
PT
Top, Tstg
6.0(1)
175
2N6676
300
450
450
8.0
5.0
15
6.0(1)
175
2N6678
400
650
650
Units
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
W
W
°C
-65 to +200
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Case
1) Derate linearly @ 34.2 mW/°C for TA > +25°C
Symbol
R
θJC
Maximum
1.0
Units
°C/W
Electrical Characteristics
OFF Characteristics
Collector - Emitter Breakdown Voltage
IC = 200 mAdc
2N6676
2N6678
Collector - Emitter Cutoff Current
VCE = 450 Vdc, VBE = -1.5 Vdc
VCE = 650 Vdc, VBE = -1.5 Vdc
Emitter - Base Cutoff Current
VEB = 7.0 Vdc
Collector - Base Cutoff Current
VCB = 450 Vdc
VCB = 650 Vdc
2N6676
2N6678
2N6676
2N6678
Symbol
V(BR)CEO
Mimimum
300
400
---
Maximum
---
Units
Vdc
ICEX
1.0
μAdc
IEBO
ICBO
---
---
---
2.0
1.0
1.0
mAdc
mAdc
Revision Date: 2/6/2014
1

JANTXV2N6678相似产品对比

JANTXV2N6678 JAN2N6678 JANTX2N6676 JANTX2N6678 JANTXV2N6676
描述 Power Bipolar Transistor, Power Bipolar Transistor, Power Bipolar Transistor, Power Bipolar Transistor, Power Bipolar Transistor,
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 15 A 15 A 15 A 15 A 15 A
基于收集器的最大容量 500 pF 500 pF 500 pF 500 pF 500 pF
集电极-发射极最大电压 400 V 400 V 300 V 400 V 300 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 8 8 8 8 8
最大降落时间(tf) 500 ns 500 ns 500 ns 500 ns 500 ns
JEDEC-95代码 TO-204AA TO-204AA TO-204AA TO-204AA TO-204AA
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 2 2 1 2 1
端子数量 2 2 2 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
功耗环境最大值 175 W 175 W 175 W 175 W 175 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
参考标准 MIL-19500 MIL-19500 MIL-19500 MIL-19500 MIL-19500
最大上升时间(tr) 600 ns 600 ns 600 ns 600 ns 600 ns
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 3000 ns 3000 ns 3000 ns 3000 ns 3000 ns
最大开启时间(吨) 700 ns 700 ns 700 ns 700 ns 700 ns
VCEsat-Max 1 V 1 V 1 V 1 V 1 V
厂商名称 - Aeroflex Aeroflex Aeroflex Aeroflex
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