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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JANSR2N7408

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JANSR2N7408: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小108KB，共8页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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JANSR2N7408概述

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA

JANSR2N7408规格参数

参数名称	属性值
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Code	unknown
Is Samacsys	N
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V
最大漏极电流 (ID)	9 A
最大漏源导通电阻	0.6 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA
JESD-30 代码	R-MSFM-P3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	METAL
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	27 A
认证状态	Not Qualified
参考标准	MIL-19500/634
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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