电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

RF1S22N10SM9A

产品描述Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小121KB,共2页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
下载文档 详细参数 全文预览

RF1S22N10SM9A在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
RF1S22N10SM9A - - 点击查看 点击购买

RF1S22N10SM9A概述

Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

RF1S22N10SM9A规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)22 A
最大漏源导通电阻0.08 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 705  823  1235  1268  1408 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved