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RFG30P06: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小132KB，共6页; 制造商Harris; 官网地址http://www.harris.com/

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RFG30P06概述

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

	RFG30P06	RF1S30P06
描述	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
是否Rohs认证	不符合	不符合
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	30 A	30 A
最大漏极电流 (ID)	30 A	30 A
最大漏源导通电阻	0.065 Ω	0.065 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-247	TO-262AA
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSIP-T3
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	IN-LINE
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL
功耗环境最大值	120 W	120 W
最大功率耗散 (Abs)	135 W	120 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	100 ns	100 ns
最大开启时间（吨）	80 ns	80 ns

Dxp的安装方法: 详情请查阅http://wenku.baidu.com/view/5fe887addd3383c4bb4cd28b.html?from=relatedhasrec=1...; ygq8278 FPGA/CPLD

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