BCW60CT116,BCW60CT116 pdf中文资料,BCW60CT116引脚图,BCW60CT116电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BCW60CT116

BCW60CT116: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小72KB，共9页; 制造商ROHM(罗姆半导体); 官网地址https://www.rohm.com/

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BCW60CT116概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

BCW60CT116规格参数

参数名称	属性值
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
其他特性	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)	0.2 A
基于收集器的最大容量	4.5 pF
集电极-发射极最大电压	32 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	260
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	125 MHz
VCEsat-Max	0.3 V
Base Number Matches	1

BCW60CT116相似产品对比

	BCW60CT116	BCW31T116	BCW32T116	BCW33T116	BCW60DT116	BCX71JT116	BCW72T116
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.2 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.2 A	0.2 A	0.1 A
基于收集器的最大容量	4.5 pF	4 pF	4 pF	4 pF	4.5 pF	6 pF	4 pF
集电极-发射极最大电压	32 V	32 V	32 V	32 V	32 V	45 V	45 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	260	110	200	420	380	250	200
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	PNP	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	125 MHz	300 MHz	300 MHz	300 MHz	125 MHz	180 MHz	300 MHz
VCEsat-Max	0.3 V	0.3 V	0.3 V	0.3 V	0.3 V	0.3 V	0.3 V
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	-
Is Samacsys	N	N	N	N	N	-	-
其他特性	LOW NOISE	-	-	-	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-	-

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