TLE2061MDR放大器基础信息:
TLE2061MDR是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为PLASTIC, SOIC-8
TLE2061MDR放大器核心信息:
TLE2061MDR的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.03 µA而其最大的输入失调电流(IIO)则仅为0.02 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,TLE2061MDR的标称压摆率有3.4 V/us。厂商给出的TLE2061MDR的最大压摆率为0.375 mA,而最小压摆率为1.8 V/us。其最小电压增益为7000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,TLE2061MDR增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为1300 kHz。
TLE2061MDR的标称供电电压为5 V,其对应的标称负供电电压为-5 V。TLE2061MDR的输入失调电压为6000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
TLE2061MDR的相关尺寸:
TLE2061MDR的宽度为:3.9 mm,长度为4.9 mmTLE2061MDR拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚:8
TLE2061MDR放大器其他信息:
TLE2061MDR采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。TLE2061MDR的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。
TLE2061MDR不符合Rohs认证。其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-PDSO-G8。TLE2061MDR的封装代码是:SOP。TLE2061MDR封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。
而其封装形状为RECTANGULAR。TLE2061MDR封装引脚的形式有:SMALL OUTLINE。其端子形式有:GULL WING。座面最大高度为1.75 mm。
TLE2061MDR放大器基础信息:
TLE2061MDR是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为PLASTIC, SOIC-8
TLE2061MDR放大器核心信息:
TLE2061MDR的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.03 µA而其最大的输入失调电流(IIO)则仅为0.02 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,TLE2061MDR的标称压摆率有3.4 V/us。厂商给出的TLE2061MDR的最大压摆率为0.375 mA,而最小压摆率为1.8 V/us。其最小电压增益为7000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,TLE2061MDR增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为1300 kHz。
TLE2061MDR的标称供电电压为5 V,其对应的标称负供电电压为-5 V。TLE2061MDR的输入失调电压为6000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
TLE2061MDR的相关尺寸:
TLE2061MDR的宽度为:3.9 mm,长度为4.9 mmTLE2061MDR拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚:8
TLE2061MDR放大器其他信息:
TLE2061MDR采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。TLE2061MDR的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。
TLE2061MDR不符合Rohs认证。其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-PDSO-G8。TLE2061MDR的封装代码是:SOP。TLE2061MDR封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。
而其封装形状为RECTANGULAR。TLE2061MDR封装引脚的形式有:SMALL OUTLINE。其端子形式有:GULL WING。座面最大高度为1.75 mm。
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | PLASTIC, SOIC-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.03 µA |
| 最小共模抑制比 | 65 dB |
| 标称共模抑制比 | 82 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.02 µA |
| 最大输入失调电压 | 6000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| 长度 | 4.9 mm |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | NO |
| 负供电电压上限 | -19 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -5 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 包装方法 | TAPE AND REEL |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-5/+-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.75 mm |
| 最小摆率 | 1.8 V/us |
| 标称压摆率 | 3.4 V/us |
| 最大压摆率 | 0.375 mA |
| 供电电压上限 | 19 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | BIFET |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 1300 kHz |
| 最小电压增益 | 7000 |
| 宽度 | 3.9 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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