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TLE2061MDR

产品描述

TLE2061MDR放大器基础信息:

TLE2061MDR是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为PLASTIC, SOIC-8

TLE2061MDR放大器核心信息:

TLE2061MDR的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.03 µA而其最大的输入失调电流(IIO)则仅为0.02 µA

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,TLE2061MDR的标称压摆率有3.4 V/us。厂商给出的TLE2061MDR的最大压摆率为0.375 mA,而最小压摆率为1.8 V/us。其最小电压增益为7000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,TLE2061MDR增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为1300 kHz。

TLE2061MDR的标称供电电压为5 V,其对应的标称负供电电压为-5 V。TLE2061MDR的输入失调电压为6000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

TLE2061MDR的相关尺寸:

TLE2061MDR的宽度为:3.9 mm,长度为4.9 mmTLE2061MDR拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚:8

TLE2061MDR放大器其他信息:

TLE2061MDR采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。TLE2061MDR的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。

TLE2061MDR不符合Rohs认证。其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-PDSO-G8。TLE2061MDR的封装代码是:SOP。TLE2061MDR封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。

而其封装形状为RECTANGULAR。TLE2061MDR封装引脚的形式有:SMALL OUTLINE。其端子形式有:GULL WING。座面最大高度为1.75 mm。

产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小2MB,共83页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
器件替换:TLE2061MDR替换放大器
敬请期待 详细参数

TLE2061MDR概述

TLE2061MDR放大器基础信息:

TLE2061MDR是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为PLASTIC, SOIC-8

TLE2061MDR放大器核心信息:

TLE2061MDR的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.03 µA而其最大的输入失调电流(IIO)则仅为0.02 µA

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,TLE2061MDR的标称压摆率有3.4 V/us。厂商给出的TLE2061MDR的最大压摆率为0.375 mA,而最小压摆率为1.8 V/us。其最小电压增益为7000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,TLE2061MDR增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为1300 kHz。

TLE2061MDR的标称供电电压为5 V,其对应的标称负供电电压为-5 V。TLE2061MDR的输入失调电压为6000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

TLE2061MDR的相关尺寸:

TLE2061MDR的宽度为:3.9 mm,长度为4.9 mmTLE2061MDR拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚:8

TLE2061MDR放大器其他信息:

TLE2061MDR采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。TLE2061MDR的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。

TLE2061MDR不符合Rohs认证。其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-PDSO-G8。TLE2061MDR的封装代码是:SOP。TLE2061MDR封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。

而其封装形状为RECTANGULAR。TLE2061MDR封装引脚的形式有:SMALL OUTLINE。其端子形式有:GULL WING。座面最大高度为1.75 mm。

TLE2061MDR规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SOIC
包装说明PLASTIC, SOIC-8
针数8
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.03 µA
最小共模抑制比65 dB
标称共模抑制比82 dB
频率补偿YES
最大输入失调电流 (IIO)0.02 µA
最大输入失调电压6000 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G8
长度4.9 mm
低-偏置YES
低-失调NO
负供电电压上限-19 V
标称负供电电压 (Vsup)-5 V
功能数量1
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
包装方法TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源+-5/+-15 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
最小摆率1.8 V/us
标称压摆率3.4 V/us
最大压摆率0.375 mA
供电电压上限19 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术BIFET
温度等级MILITARY
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽1300 kHz
最小电压增益7000
宽度3.9 mm
Base Number Matches1
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