TLE2027ACD放大器基础信息:
TLE2027ACD是来自Texas Instruments的一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为PLASTIC, SOIC-8
TLE2027ACD放大器核心信息:
TLE2027ACD的最低工作温度是,最高工作温度是70 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:0.09 µA他的最大平均偏置电流为0.15 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,TLE2027ACD的标称压摆率有2.8 V/us。厂商给出的TLE2027ACD的最大压摆率为5.6 mA,而最小压摆率为1.2 V/us。其最小电压增益为2000000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,TLE2027ACD增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为13000 kHz。
TLE2027ACD的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。TLE2027ACD的输入失调电压为70 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
TLE2027ACD的相关尺寸:
TLE2027ACD的宽度为:3.9 mm,长度为4.9 mmTLE2027ACD拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚:8
TLE2027ACD放大器其他信息:
TLE2027ACD采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低失调类放大器。TLE2027ACD的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:COMMERCIAL。TLE2027ACD不符合Rohs认证。
其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-PDSO-G8。TLE2027ACD的封装代码是:SOP。TLE2027ACD封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。而其封装形状为RECTANGULAR。
TLE2027ACD封装引脚的形式有:SMALL OUTLINE。其端子形式有:GULL WING。座面最大高度为1.75 mm。
TLE2027ACD放大器基础信息:
TLE2027ACD是来自Texas Instruments的一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为PLASTIC, SOIC-8
TLE2027ACD放大器核心信息:
TLE2027ACD的最低工作温度是,最高工作温度是70 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:0.09 µA他的最大平均偏置电流为0.15 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,TLE2027ACD的标称压摆率有2.8 V/us。厂商给出的TLE2027ACD的最大压摆率为5.6 mA,而最小压摆率为1.2 V/us。其最小电压增益为2000000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,TLE2027ACD增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为13000 kHz。
TLE2027ACD的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。TLE2027ACD的输入失调电压为70 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
TLE2027ACD的相关尺寸:
TLE2027ACD的宽度为:3.9 mm,长度为4.9 mmTLE2027ACD拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚:8
TLE2027ACD放大器其他信息:
TLE2027ACD采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低失调类放大器。TLE2027ACD的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:COMMERCIAL。TLE2027ACD不符合Rohs认证。
其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-PDSO-G8。TLE2027ACD的封装代码是:SOP。TLE2027ACD封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。而其封装形状为RECTANGULAR。
TLE2027ACD封装引脚的形式有:SMALL OUTLINE。其端子形式有:GULL WING。座面最大高度为1.75 mm。
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Texas Instruments |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | PLASTIC, SOIC-8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.15 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.09 µA |
最小共模抑制比 | 114 dB |
标称共模抑制比 | 131 dB |
频率补偿 | YES |
最大输入失调电压 | 70 µV |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
长度 | 4.9 mm |
低-失调 | YES |
负供电电压上限 | -19 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | +-15 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.75 mm |
最小摆率 | 1.2 V/us |
标称压摆率 | 2.8 V/us |
最大压摆率 | 5.6 mA |
供电电压上限 | 19 V |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
表面贴装 | YES |
技术 | BIPOLAR |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽 | 13000 kHz |
最小电压增益 | 2000000 |
宽度 | 3.9 mm |
Base Number Matches | 1 |
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