TLV2262AMJG放大器基础信息:
TLV2262AMJG是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为CERAMIC, DIP-8
TLV2262AMJG放大器核心信息:
TLV2262AMJG的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.0008 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,TLV2262AMJG的标称压摆率有0.55 V/us。厂商给出的TLV2262AMJG的最大压摆率为0.5 mA,而最小压摆率为0.3 V/us。其最小电压增益为25000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,TLV2262AMJG增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为670 kHz。
TLV2262AMJG的标称供电电压为3 V。而其供电电源的范围为:+-1.35/+-4/2.7/8 V。TLV2262AMJG的输入失调电压为1500 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
TLV2262AMJG的相关尺寸:
TLV2262AMJG的宽度为:7.62 mm,长度为9.58 mmTLV2262AMJG拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:8
TLV2262AMJG放大器其他信息:
TLV2262AMJG采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。TLV2262AMJG的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。
其属于微功率放大器。TLV2262AMJG不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T8。TLV2262AMJG的封装代码是:DIP。TLV2262AMJG封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。
而其封装形状为RECTANGULAR。TLV2262AMJG封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
TLV2262AMJG放大器基础信息:
TLV2262AMJG是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为CERAMIC, DIP-8
TLV2262AMJG放大器核心信息:
TLV2262AMJG的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.0008 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,TLV2262AMJG的标称压摆率有0.55 V/us。厂商给出的TLV2262AMJG的最大压摆率为0.5 mA,而最小压摆率为0.3 V/us。其最小电压增益为25000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,TLV2262AMJG增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为670 kHz。
TLV2262AMJG的标称供电电压为3 V。而其供电电源的范围为:+-1.35/+-4/2.7/8 V。TLV2262AMJG的输入失调电压为1500 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
TLV2262AMJG的相关尺寸:
TLV2262AMJG的宽度为:7.62 mm,长度为9.58 mmTLV2262AMJG拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:8
TLV2262AMJG放大器其他信息:
TLV2262AMJG采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。TLV2262AMJG的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。
其属于微功率放大器。TLV2262AMJG不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T8。TLV2262AMJG的封装代码是:DIP。TLV2262AMJG封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。
而其封装形状为RECTANGULAR。TLV2262AMJG封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | CERAMIC, DIP-8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0008 µA |
标称共模抑制比 | 75 dB |
频率补偿 | YES |
最大输入失调电压 | 1500 µV |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 |
长度 | 9.58 mm |
低-偏置 | YES |
低-失调 | NO |
微功率 | YES |
功能数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | +-1.35/+-4/2.7/8 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-PRF-38535 |
座面最大高度 | 5.08 mm |
最小摆率 | 0.3 V/us |
标称压摆率 | 0.55 V/us |
最大压摆率 | 0.5 mA |
供电电压上限 | 16 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽 | 670 kHz |
最小电压增益 | 25000 |
宽度 | 7.62 mm |
Base Number Matches | 1 |
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