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TLV2262AMJGB

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TLV2262AMJGB放大器基础信息:

TLV2262AMJGB是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP,

TLV2262AMJGB放大器核心信息:

TLV2262AMJGB的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.0008 µA

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,TLV2262AMJGB的标称压摆率有0.55 V/us。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,TLV2262AMJGB增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为670 kHz。

TLV2262AMJGB的标称供电电压为3 V。而其供电电压上限为16 VTLV2262AMJGB的输入失调电压为1500 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

TLV2262AMJGB的相关尺寸:

TLV2262AMJGB的宽度为:7.62 mm,长度为9.58 mmTLV2262AMJGB拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:8

TLV2262AMJGB放大器其他信息:

其温度等级为:MILITARY。而其湿度敏感等级为:NOT SPECIFIED。TLV2262AMJGB不符合Rohs认证。其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T8。

TLV2262AMJGB的封装代码是:DIP。TLV2262AMJGB封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。TLV2262AMJGB封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。

座面最大高度为5.08 mm。

产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小3MB,共62页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
器件替换:TLV2262AMJGB替换放大器
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TLV2262AMJGB概述

TLV2262AMJGB放大器基础信息:

TLV2262AMJGB是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP,

TLV2262AMJGB放大器核心信息:

TLV2262AMJGB的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.0008 µA

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,TLV2262AMJGB的标称压摆率有0.55 V/us。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,TLV2262AMJGB增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为670 kHz。

TLV2262AMJGB的标称供电电压为3 V。而其供电电压上限为16 VTLV2262AMJGB的输入失调电压为1500 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

TLV2262AMJGB的相关尺寸:

TLV2262AMJGB的宽度为:7.62 mm,长度为9.58 mmTLV2262AMJGB拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:8

TLV2262AMJGB放大器其他信息:

其温度等级为:MILITARY。而其湿度敏感等级为:NOT SPECIFIED。TLV2262AMJGB不符合Rohs认证。其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T8。

TLV2262AMJGB的封装代码是:DIP。TLV2262AMJGB封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。TLV2262AMJGB封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。

座面最大高度为5.08 mm。

TLV2262AMJGB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数8
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)0.0008 µA
标称共模抑制比77 dB
最大输入失调电压1500 µV
JESD-30 代码R-GDIP-T8
长度9.58 mm
湿度敏感等级NOT SPECIFIED
功能数量2
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
筛选级别MIL-STD-883
座面最大高度5.08 mm
标称压摆率0.55 V/us
供电电压上限16 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层NOT SPECIFIED
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量MIL-STD-883 V
标称均一增益带宽670 kHz
宽度7.62 mm
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