TMS28F010A-12C4FML概述

128KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PQCC32

TMS28F010A-12C4FML规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Texas Instruments
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
包装说明	QCCJ, LDCC32,.5X.6
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
最长访问时间	120 ns
其他特性	10000 PROGRAM/ERASE CYCLES
命令用户界面	YES
数据轮询	NO
耐久性	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PQCC-J32
长度	13.97 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC32,.5X.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
编程电压	12 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.56 mm
最大待机电流	0.0001 A
最大压摆率	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	MOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	NO
类型	NOR TYPE
宽度	11.43 mm
Base Number Matches	1

TMS28F010A-12C4FML相似产品对比

	TMS28F010A-12C4FML	TMS28F010A-12C4FME	TMS28F010A-15C4FML	TMS28F010A-10C4FML
描述	128KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PQCC32	128KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PQCC32	128KX8 FLASH 12V PROM, 150ns, PQCC32	128KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, PQCC32
Brand Name	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	120 ns	120 ns	150 ns	100 ns
其他特性	10000 PROGRAM/ERASE CYCLES	10000 PROGRAM/ERASE CYCLES	10000 PROGRAM/ERASE CYCLES	10000 PROGRAM/ERASE CYCLES
命令用户界面	YES	YES	YES	YES
数据轮询	NO	NO	NO	NO
耐久性	10000 Write/Erase Cycles	10000 Write/Erase Cycles	10000 Write/Erase Cycles	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PQCC-J32	R-PQCC-J32	R-PQCC-J32	R-PQCC-J32
长度	13.97 mm	13.97 mm	13.97 mm	13.97 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ	QCCJ	QCCJ	QCCJ
封装等效代码	LDCC32,.5X.6	LDCC32,.5X.6	LDCC32,.5X.6	LDCC32,.5X.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
编程电压	12 V	12 V	12 V	12 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.56 mm	3.56 mm	3.56 mm	3.56 mm
最大待机电流	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A
最大压摆率	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	MOS	MOS	MOS	MOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
切换位	NO	NO	NO	NO
类型	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE
宽度	11.43 mm	11.43 mm	11.43 mm	11.43 mm
Base Number Matches	1	1	1	1
包装说明	QCCJ, LDCC32,.5X.6	-	QCCJ, LDCC32,.5X.6	QCCJ, LDCC32,.5X.6
Is Samacsys	N	-	N	N

推荐资源

一个关于相机驱动调用的问题: 最近在研究win mobile 下怎样调用camera driver，遇到一些问题，求教一下。（1）我不想通过video capture filter来调用cam driver，想直接调用MDD层的函数。但是发现这些函数 CAM_Close ......; hbbyq111 嵌入式系统

NT设备驱动程序安装: 在XP操作系统下编了个NT设备驱动程序，怎样能安装上？...; CENTURYYUAN 嵌入式系统

780M区别于433，2.4G: 众所周知我们一直使用的无线频段是 2.4G433780M是本公司研发的新领域，相对于 24G 433 有明显的优势如下图典型参数 2.4GHz 433MHz 780MHz 通信频率该频段有蓝牙 ......; hanzhixian DIY/开源硬件专区

我的那个MSP-EXP430FR5739怎么晶体焊盘怎么好像焊过的呀？: 一直放在那里没怎么动，昨天才插上电试试驱动。刚才看相关的介绍视频，看完后，有端详了一下这个套件，发现放晶振晶体的三个焊盘好像焊接过的呀，上面有焊锡！不是薄薄的没有焊接过的样子，请问 ......; wangfuchong 微控制器 MCU

51单片机音乐带骂生成器: 希望对大家有用 ...; 洋宝贝 51单片机

可控硅的问题: 如图是典型的可控硅驱动电路，这个电路可控硅工作在第三象限？触发电流是多少？（怎么计算呢）616025 ...; zhuyu630 模拟电子

欲攻手机芯片市场破除高通垄断成关键

　　2006年，英特尔在耗费了6年的时间和约50亿美元的资金投入后，最终放弃了手机芯片市场。时隔两年，英特尔缩小了PC芯片，使手持机具有可以与PC相媲美的处理能力，一款名为凌动的芯片成为英特尔重返手机市场的最新一次尝试。　　成功打造了PC产业链的英特尔，在这样短的时间内做出如此重大的战略转变，足以说明手机市场对其巨大的吸引力。那么，英特尔重返手机芯片市场的深刻内涵是什么？它又能否重新锻造出...[详细]
一种新颖的电子式PS压力传感器

　　概述　　PS压力传感器是一种利用半导体膜片结构制成的电子式压力传感器，它可将空气压力这一物理量变换成电信号, 并能够高精度、线性地检测出压力的变化。它是松下电工公司近年推出的新产品。　　早在1954年美国C.S.Smith首先确认了半导体压电电阻效应，1955年C.Herring指出：这种压电电阻效应是由于应力的作用，引起导体与价电子带能量状态的变化，以及载流子数量与迁移率变化所产生...[详细]
基于气动人工肌肉的双足机器人关节

　　介绍了一种由气动人工肌肉构建的双足机器人关节，该关节利用气动人工肌肉的柔性特性，可以有效控制双足机器人快速行走或跑步时的落地脚冲击问题。　　详细给出了气动人工肌肉的工作原理以及由其构成的关节系统的硬件架构。同时介绍了基于此硬件关节搭建的控制软件系统。　　双足机器人相比于一般的移动机器人在非结构化环境中具有更好的移动能力，因而受到研究者的广泛关注。控制机器人获得快速的行走速度以及实现...[详细]
设计工程师们缔造医学奇迹

　　伊拉克战场退伍的老兵因为战场路边的手雷炸丢了手臂, 他们期盼着能像正常人一样行动；中风患者期望麻痹的肢体能再次复员；外科医生试图找到安全的办法来给活人的心脏实施手术…… 　　设计工程师们同医学专家合作, 使用尖端的运动系统共同设计解决这些难题的方法。例如约翰霍普金斯大学的工程设计师们正在进行领先世界的仿生手臂的研究。　　在马萨诸塞州，两位年轻的麻省理工毕业的工程师设计了一种马达支架能够让中风...[详细]
微型低功耗大容量心电记录仪的研制

常规心电图记录仪是医生诊断心脏疾病的主要手段之一，但它仅能记录短暂心搏情况。由于在相当多的情况下难以记录到即刻发作时的心电图改变，导致无法作出正确的诊断和治疗。因此对病人进行长时间的心电图记录有着极其重要的临床价值。而微型动态心电记录仪能及时记录到普通心电图检测时病人不易出现的短暂异常心电活动，为临床分析病情提供重要客观依据。目前的便携式心电记录仪存储容量偏小，最多只能记录八小时的心电数据；而微...[详细]
NEC电子与桑乐太阳能建联合实验室

　　近日，NEC电子的全资子公司日电电子（中国）有限公司与山东桑乐太阳能有限公司达成协议，在桑乐内成立联合实验室，使用NEC电子全球领先的微控制器产品，共同开发太阳能控制领域产品。　　山东桑乐太阳能有限公司成立于1994年，前身为“山东省科学院能源研究所太阳能研究室”，早在1987年就开始了太阳能热水器的市场化推广，是我国最早从事太阳能热利用研究和开发的单位之一。经过二十余年的发展，现已成为集...[详细]
基于LabVIEW快速搭建医疗设备原型

　　21世纪是生命和健康的世纪，生命科学的飞速进步不断推动着人类对自身健康和疾病的认识，如何开发创新型的医疗电子设备也成为研究的热点之一。　　医疗设备研究内容涉及众多工程学研究领域，如电子学、计算机、信息处理、光学、精密机械学等。随着医学的发展、治疗手段的多样化和相关工程领域技术的不断进步，医疗电子设备正变得日益复杂化。一般大型医疗设备由多个子系统组成，需要集成多种传感器、机械部件、电子元件，如...[详细]
召回植入医疗器械厂家要为患者出费用

　　《医疗器械召回管理办法》征求意见稿发布——记者从药监局了解到，关于《医疗器械召回管理办法》的征求意见稿已完成，其召回将根据安全隐患程度分为三级。　　同时，对于植入性医疗器械，生产企业要承担应召回或者更换该医疗器械而产生的费用。国家药监局表示，对征求意见稿中的内容有意见的企业、个人，可以在3月31日前将意见反馈至该局政策法规司法规处。 ...[详细]
IBM将投资15亿美元开发纳米芯片技术

　　据国外媒体报道，纽约州州长大卫·帕特森（David Paterson）周二透露，IBM将在纳米芯片项目投资15亿美元，包括在该州一个边远地区建立一家研发中心，目前地址还未选定。　　帕特森在声明中称，纽约州将向IBM提供1.4亿美元的经济发展补助金。多年来该州一直在寻找一条振兴边远地区经济的途径，这位民主党州长称，IBM的投资将创造1000个高科技工作岗位。　　除了建立新的研发中心外，...[详细]
Fujitsu（富士通）发布SPARC64 Ⅶ处理器

2008 年 7 月 14 日 Fujitsu （富士通）发布了最新的 SPARC64VII 4 核处理器，并宣布将其配置于 SPARC Enterprise UNIX 服务器中高端的型号上。至此， SPARC Enterprise 中端型号“ M 4000 ” 、“ M 5000 ” 以及高端型号“ M8000 “和“ M 9000 ” 等...[详细]
基于DSP的智能控制器高可靠性分析与设计(图)

　　硬件电路原理如图1所示，在具体设计中，每个部分都应考虑抗干扰问题，以最大限度地减小干扰对整个系统性能的影响，确保系统具有足够高的可靠性。　　　　图1 智能控制器硬件电路原理框图　　①DSP部分　　本控制器以TI公司的TMS320F2812（以下简称F2812）为核心，它是一款专用于控制的高性能、多功能、高性价比的32位定点DSP芯片。F2812部分的电路设计重点考虑如下问...[详细]
Epcos收购恩智浦半导体的RF-MEMS业务

　　位于慕尼黑的Epcos最近收购恩智浦(NXP)半导体的射频微机电系统(RF-MEMS)业务，RF-MEMS技术有望扩展手机功能，并削减手机成本和功耗。通过这次收购，Epocs将确立其在该领域的领先地位。　　Epcos表示，今年它将接管荷兰恩智浦的射频MEMS业务，并将把它发展成为价值近10亿欧元一个产品系列。收购交易条款没有披露。　　射频MEMS技术可以应用到包括天线和功率放大器在内...[详细]
ADI公司的Advantiv高级电视解决方案IC

ADI 近日宣布日立公司在其最新的消费类无线传输集线器 TP-WL700H 中使用 ADI 公司的 Advantiv ™高级电视解决方案 IC ，以提供高端的无线功能、灵活性和无缝高清 (HD) 连接。这款 TP-WL700H 集线器仅在日本市场供应，它是一款单机设备，专门用于为日立 Wooo UT 系列液晶电视提供无线高清娱乐内容。在日立公司最新的无线视...[详细]
TD-SCDMA射频测试总结（三）

　　本期将简要介绍有关频谱方面的测试——占用带宽。　　定义:占用带宽是指以指定信道的中心频率为中心，包含总发射功率99%能量时所对应的频带宽度。　　测试目的:验证UE的占用带宽是否符合指标要求，避免超过指标要求的占用带宽增加对其他信道或其他系统的干扰。　　初始条件：　　（1）测试环境：normal；参考TS34.122标准clauses G.2.1和G.2.2。　　（2）测试频点：l...[详细]
半导体产业的股价为什么一直表现不佳？

　　据国外媒体报道，在过去五年内，半导体行业的销售业绩保持了两位数的年均增长率，但是其股价却表现不佳。针对这一问题Invisor 咨询公司的主管Steve Tobak给出了自己的分析：　　过去五年“费城半导体指数”以每年2.9%的速度下滑，美林半导体指数ETF也以每年1%的速度在下跌。而同期的纳斯达克指数的复合年增长率为4.8%，道琼斯和标准普尔指数的年均涨幅也分别为3.7%和3.9%。由...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多