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N82S16D

产品描述Standard SRAM, 256X1, 50ns, TTL, PDSO16
产品类别存储    存储   
文件大小117KB,共4页
制造商YAGEO(国巨)
官网地址http://www.yageo.com/
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N82S16D概述

Standard SRAM, 256X1, 50ns, TTL, PDSO16

N82S16D规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最长访问时间50 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G16
内存密度256 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量16
字数256 words
字数代码256
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度75 °C
最低工作温度
组织256X1
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术TTL
温度等级COMMERCIAL EXTENDED
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

N82S16D相似产品对比

N82S16D N82S16N
描述 Standard SRAM, 256X1, 50ns, TTL, PDSO16 Standard SRAM, 256X1, 50ns, TTL, PDIP16
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最长访问时间 50 ns 50 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-G16 R-PDIP-T16
内存密度 256 bit 256 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 1 1
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 16 16
字数 256 words 256 words
字数代码 256 256
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 75 °C 75 °C
组织 256X1 256X1
输出特性 3-STATE 3-STATE
可输出 NO NO
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 YES NO
技术 TTL TTL
温度等级 COMMERCIAL EXTENDED COMMERCIAL EXTENDED
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL
[转]逐次逼近型 ADC:确保首次转换有效
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