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RN4988AFS

产品描述TRANSISTOR 80 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-1F1D, FS6, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小241KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准  
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RN4988AFS概述

TRANSISTOR 80 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-1F1D, FS6, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal

RN4988AFS规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.13
最大集电极电流 (IC)0.08 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)80
JESD-30 代码R-PDSO-F6
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)0.05 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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RN4988
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN4988
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads)
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resister Values
R1: 22kΩ
R2: 47kΩ
(Q1, Q2 Common)
Q1 Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Rating
50
50
7
100
Unit
V
V
V
mA
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-2J1A
Weight: 6.8 mg (typ.)
Q2 Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Rating
−50
−50
−7
−100
Unit
V
V
V
mA
1
2007-11-01

RN4988AFS相似产品对比

RN4988AFS RN4988FS RN4988(TE85L) RN4988(TE85R)
描述 TRANSISTOR 80 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-1F1D, FS6, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 50 mA, 20 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1F1D, FS6, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数 6 6 6 6
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N N N
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.13 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.14 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.468 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.468
最大集电极电流 (IC) 0.08 A 0.05 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 20 V 50 V 50 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 80 120 80 80
JESD-30 代码 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
元件数量 2 2 2 2
端子数量 6 6 6 6
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN AND PNP NPN AND PNP NPN AND PNP NPN AND PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 1
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