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RN1106MFV(TL3PAV)

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN1106MFV(TL3PAV)概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

RN1106MFV(TL3PAV)规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
其他特性BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)80
JESD-30 代码R-PDSO-F3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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RN1101MFV∼RN1106MFV
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1101MFV, RN1102MFV, RN1103MFV
RN1104MFV, RN1105MFV, RN1106MFV
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and
Driver Circuit Applications
0.22 ± 0.05
Unit: mm
1.2 ± 0.05
0.32 ± 0.05
0.80 ± 0.05
Ultra-small package, suited to very high density mounting
Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts,
so enabling the manufacture of ever more compact equipment and
lowering assembly cost.
1.2 ± 0.05
0.4
Complementary to the RN2101MFV to RN2106MFV
0.4
A wide range of resistor values is available for use in various circuits.
0.8 ± 0.05
1
1
3
2
0.13 ± 0.05
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
0.5 ± 0.05
Type No.
RN1101MFV
RN1102MFV
RN1103MFV
RN1104MFV
RN1105MFV
RN1106MFV
R1 (kΩ)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2 (kΩ)
4.7
10
22
47
47
47
1. BASE
VESM
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2. EMITTER
3. COLLECTOR
2-1L1A
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN1101MFV to 1106MFV
RN1101MFV to 1106MFV
RN1101MFV to 1104MFV
RN1105MFV, 1106MFV
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
(Note 1)
T
j
T
stg
Rating
50
50
10
5
100
150
150
−55
to 150
Weight: 1.5 mg (typ.)
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant
change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the
operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
Note 1: Mounted on an FR4 board
(25.4
mm
×
25.4 mm
×
1.6 mm)
Pad Dimension(Reference)
1.15
0.5
Unit: mm
0.45
0.4
0.45
0.4
0.4
Start of commercial production
2005-02
1
2014-03-01
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