Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN2105FV

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RN2105FV: 产品描述TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小562KB，共8页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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RN2105FV概述

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

RN2105FV规格参数

参数名称	属性值
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.14
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	80
JESD-30 代码	R-PDSO-F3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.15 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	200 MHz
Base Number Matches	1

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RN2101FV∼RN2106FV

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

RN2101FV, RN2102FV, RN2103FV

RN2104FV, RN2105FV, RN2106FV

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

and Driver Circuit Applications

0.22±0.05

1.2±0.05

0.8±0.05

0.32±0.05

0.45mm

0.4mm

0.13±0.05

1.BASE

2.EMITTER

3.COLLECTOR

0.5mm

Unit: mm

Built-in bias resistors

Simplified circuit design

1.2±0.05

0.8±0.05

0.4

Reduced quantity of parts and manufacturing process

Complementary to RN1101FV~RN1106FV

Equivalent Circuit and Bias Resister Values

Type No.

RN2101FV

RN2102FV

RN2103FV

RN2104FV

RN2105FV

RN2106FV

R1 (kΩ)

4.7

2.2

4.7

R2 (kΩ)

4.7

0.5±0.05

VESM

Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN2101FV~2106FV

RN2101FV~2104FV

RN2105FV, 2106FV

Symbol

CBO

CEO

EBO

(Note)

stg

Rating

−50

−10

−5

−100

150

−55~150

JEDEC

―

JEITA

―

TOSHIBA

2-1L1A

Weight: 0.0015g (typ.)

Unit

°C

Note: Mounted on FR4 board

(25.4

25.4 mm

1.6 mmt)

2004-06-28

RN2105FV相似产品对比

	RN2105FV	RN2102FV	RN2101FV	RN2104FV	RN2103FV	RN2106FV
描述	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数	3	3	3	3	3	3
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.14	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	80	50	30	80	70	80
JESD-30 代码	R-PDSO-F3	R-PDSO-F3	R-PDSO-F3	R-PDSO-F3	R-PDSO-F3	R-PDSO-F3
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.15 W	0.15 W	0.15 W	0.15 W	0.15 W	0.15 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	200 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz
Base Number Matches	1	1	1	1	-	-

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