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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> RU1BV
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RU1BV

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小55KB，共2页
制造商SANKEN
官网地址http://www.sanken-ele.co.jp/en/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

RU1BV概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, Silicon

RU1BV规格参数

参数名称属性值
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流0.25 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大反向恢复时间0.4 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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4-2 Fast Recovery Diodes
V
RM
(V)
I
F
(AV)
(A)
Package
Axial
Part
Number
RU 1B
RF 1B
RH 1B
RS 1B
RU 2B
RU 3B
RU 4B
RU 1C
RH 1C
RU 2C
RU 3C
RU 4C
RU 4D
RU 4DS
ES01F
ES 1F
RS 4FS
RC 2
I
FSM
(A)
T
j
(
°
C)
50Hz
Single Half Sine Wave
15
15
35
30
20
20
50
15
35
20
20
50
50
50
15
20
50
20
T
stg
(
°
C)
V
F
(V)
max
2.5
2.0
1.3
2.5
1.5
1.5
1.6
3.0
1.3
1.5
2.5
1.6
1.8
1.6
2.0
2.0
1.5
2.0
I
F
(A)
0.25
1.0
0.6
0.8
1.0
1.0
3.0
0.25
0.6
1.0
1.5
3.0
1.5
3.0
0.5
0.5
3.0
0.2
I
R
I
R
(H)
(
µ
A)
(
µ
A)
V
R
=V
RM
V
R
=V
RM
max
max
10
10
5.0
10
10
10
10
10
5.0
10
10
50
50
10
10
10
50
10
200
T
j
(
°
C)
trrq
(
µ
s)
I
F
/I
RP
(mA)
trrw
(
µ
s)
I
F
/I
RP
(mA)
10/20
10/20
10/20
10/20
10/20
10/20
10/20
10/20
10/20
10/20
10/20
100/200
Rth(j-l)
Rth(j-c)
(
°
C/W)
15
15
15
15
15
12
8.0
15
15
15
12
8.0
8.0
8.0
20
17
8.0
15
Mass
(g)
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.6
1.2
0.4
0.4
0.4
0.6
1.2
1.2
1.2
0.2
0.3
1.2
0.4
Values in parentheses
are for the products
with heatsinks
(Body Diameter/Lead Diameter)
0.25
0.6
0.6
800
0.7
1.0
1.1
1.5(3.0)
0.2
0.6
1000
0.8
1.5
1.5(2.5)
1300
1.5
1.5(2.5)
0.5
1500
0.5
1.5(2.5)
2000
0.2
Axial(
φ
4.0/
φ
0.78)
Axial(
φ
4.0/
φ
0.78)
Axial(
φ
4.0/
φ
0.78)
Axial(
φ
4.0/
φ
0.78)
Axial(
φ
4.0/
φ
0.78)
Axial(
φ
4.0/
φ
0.98)
Axial(
φ
6.5/
φ
1.4)
Axial(
φ
4.0/
φ
0.78)
Axial(
φ
4.0/
φ
0.78)
Axial(
φ
4.0/
φ
0.78)
Axial(
φ
4.0/
φ
0.98)
Axial(
φ
6.5/
φ
1.4)
Axial(
φ
6.5/
φ
1.4)
Axial(
φ
6.5/
φ
1.4)
Axial(
φ
2.7/
φ
0.6)
Axial(
φ
2.7/
φ
0.78)
Axial(
φ
6.5/
φ
1.4)
Axial(
φ
4.0/
φ
0.78)
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
200 100(Ta)
100
0.4
0.4
4.0
1.5
0.4
0.4
0.4
0.4
4.0
0.4
0.4
10/10 0.18
10/10 0.18
10/10
10/10
1.3
0.6
70 150(Ta)
2000
300
400
150
100
100
10/10 0.18
10/10 0.18
10/10 0.18
10/10 0.18
10/10
1.3
500 100(Ta)
250
100
70 150(Ta)
300 100(Ta)
400
500
500
500
100
100
100
100
10/10 0.18
10/10 0.18
0.4 100/100 0.18
0.4 500/500 0.18 500/1000
0.4 500/500 0.18 500/1000
1.5
1.5
10/10
10/10
0.6
0.6
0.4
1.3
10/20
10/20
100/200
10/20
200 100(Ta)
200 100(Ta)
500
300
100
100
1.0 100/100
4.0
10/10
Diodes
191

RU1BV相似产品对比

RU1BV RU1BV1
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, Silicon Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, Silicon
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出电流 0.25 A 0.25 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大反向恢复时间 0.4 µs 0.4 µs
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
Base Number Matches 1 1

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