Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN2910,LF(CT

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RN2910,LF(CT: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小304KB，共6页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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RN2910,LF(CT概述

Small Signal Bipolar Transistor

RN2910,LF(CT规格参数

参数名称	属性值
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
Factory Lead Time	12 weeks
Is Samacsys	N
Base Number Matches	1

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RN2910,RN2911

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor)

RN2910, RN2911

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

and Driver Circuit Applications

Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads)

With built-in bias resistors

Simplify circuit design

Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Complementary to RN1910 and RN1911

Unit: mm

Equivalent Circuit

US6

JEDEC

―

JEITA

―

TOSHIBA

2-3J1A

Weight: 6.8 mg (typ.)

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)

Characterisstic

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Rating

−50

−5

−100

200

150

−55

to 150

Unit

°C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

*: Total rating

Equivalent Circuit

(Top View)

Start of commercial production

1998-02

2014-03-01

RN2910,LF(CT相似产品对比

	RN2910,LF(CT	RN2911,LF(CT	RN2910(T5L,F,T)	RN2911(T5L,F,T)	RN2911,LF
描述	Small Signal Bipolar Transistor	trans prebias 2pnp 50v 0.2W us6	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
晶体管类型	-	-	2 个 PNP 预偏压式（双）	2 个 PNP 预偏压式（双）	2 个 PNP 预偏压式（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	-	-	100mA	100mA	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	-	-	50V	50V	50V
电阻器 - 基底（R1）	-	-	4.7 千欧	10 千欧	10 千欧
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	-	-	120 @ 1mA，5V	120 @ 1mA，5V	120 @ 1mA，5V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）	-	-	300mV @ 250µA，5mA	300mV @ 250µA，5mA	300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）	-	-	100nA（ICBO）	100nA（ICBO）	100nA（ICBO）
频率 - 跃迁	-	-	200MHz	200MHz	200MHz
功率 - 最大值	-	-	200mW	200mW	200mW
安装类型	-	-	表面贴装	表面贴装	表面贴装
封装/外壳	-	-	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装	-	-	US6	US6	US6

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