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NDS352APS62Z

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小112KB,共6页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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NDS352APS62Z概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3

NDS352APS62Z规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
制造商包装代码SUPERSOT
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)0.9 A
最大漏源导通电阻0.3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

NDS352APS62Z相似产品对比

NDS352APS62Z NDS352APL99Z
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3
零件包装代码 SOT SOT
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3
制造商包装代码 SUPERSOT SUPERSOT
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (ID) 0.9 A 0.9 A
最大漏源导通电阻 0.3 Ω 0.3 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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