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NDP508B

产品描述17A, 80V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小127KB,共6页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

NDP508B概述

17A, 80V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN

NDP508B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)17 A
最大漏极电流 (ID)17 A
最大漏源导通电阻0.1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值60 W
最大功率耗散 (Abs)75 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

NDP508B相似产品对比

NDP508B NDP508A NDP508AE NDP508BE NDB508B
描述 17A, 80V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN 19A, 80V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN 19A, 80V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN 17A, 80V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN 17A, 80V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 17 A 19 A 19 A 17 A 17 A
最大漏极电流 (ID) 17 A 19 A 19 A 17 A 17 A
最大漏源导通电阻 0.1 Ω 0.08 Ω 0.08 Ω 0.1 Ω 0.1 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 60 W 60 W 60 W 60 W 60 W
最大功率耗散 (Abs) 75 W 75 W 75 W 75 W 75 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 - Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) -
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