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NDS8852H/S62Z

产品描述4300mA, 30V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小248KB,共8页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

NDS8852H/S62Z概述

4300mA, 30V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

NDS8852H/S62Z规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)4.3 A
最大漏源导通电阻0.08 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL AND P-CHANNEL
功耗环境最大值2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

NDS8852H/S62Z相似产品对比

NDS8852H/S62Z NDS8852H/L99Z NDS8852H NDS8852H/L86Z NDS8852H/D84Z
描述 4300mA, 30V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 4300mA, 30V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 4300mA, 30V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 4300mA, 30V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 4300mA, 30V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V 30 V 30 V 30 V
最大漏极电流 (ID) 4.3 A 4.3 A 4.3 A 4.3 A 4.3 A
最大漏源导通电阻 0.08 Ω 0.08 Ω 0.08 Ω 0.08 Ω 0.08 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
元件数量 2 2 2 2 2
端子数量 8 8 8 8 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL AND P-CHANNEL N-CHANNEL AND P-CHANNEL N-CHANNEL AND P-CHANNEL N-CHANNEL AND P-CHANNEL N-CHANNEL AND P-CHANNEL
功耗环境最大值 2 W 2 W 2 W 2 W 2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 - Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
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