FSS23A4R3,FSS23A4R3 pdf中文资料,FSS23A4R3引脚图,FSS23A4R3电路-Datasheet-电子工程世界

FSS23A4R3: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小210KB，共6页; 制造商Harris; 官网地址http://www.harris.com/

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FSS23A4R3概述

Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN

FSS23A4R3规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
其他特性	RADIATION HARDENED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	7 A
最大漏极电流 (ID)	7 A
最大漏源导通电阻	0.46 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-257AA
JESD-30 代码	S-MSFM-P3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	56 W
最大功率耗散 (Abs)	56 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	21 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	75 ns
最大开启时间（吨）	50 ns
Base Number Matches	1

FSS23A4R3相似产品对比

	FSS23A4R3	FSS23A4R1	FSS23A4R4	FSS23A4D1	FSS23A4D3
描述	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	RADIATION HARDENED	RADIATION HARDENED	RADIATION HARDENED	RADIATION HARDENED	RADIATION HARDENED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	250 V	250 V	250 V	250 V	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	7 A	7 A	7 A	7 A	7 A
最大漏极电流 (ID)	7 A	7 A	7 A	7 A	7 A
最大漏源导通电阻	0.46 Ω	0.46 Ω	0.46 Ω	0.46 Ω	0.46 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-257AA	TO-257AA	TO-257AA	TO-257AA	TO-257AA
JESD-30 代码	S-MSFM-P3	S-MSFM-P3	S-MSFM-P3	S-MSFM-P3	S-MSFM-P3
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	56 W	56 W	56 W	56 W	56 W
最大功率耗散 (Abs)	56 W	56 W	56 W	56 W	56 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	21 A	21 A	21 A	21 A	21 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	75 ns	75 ns	75 ns	75 ns	75 ns
最大开启时间（吨）	50 ns	50 ns	50 ns	50 ns	50 ns
Base Number Matches	1	1	1	1	1
Is Samacsys	N	N	N	-	-

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