9A, 250V, 0.415ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 其他特性 | RADIATION HARDENED |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 250 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 9 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 9 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.415 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-257AA |
| JESD-30 代码 | R-MSFM-P3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 27 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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