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FRL234D

产品描述Power Field-Effect Transistor, 0.7ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL CAN, TO-205AF, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小126KB,共4页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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FRL234D概述

Power Field-Effect Transistor, 0.7ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL CAN, TO-205AF, 3 PIN

FRL234D规格参数

参数名称属性值
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
其他特性RADIATION HARDENED
最大漏源导通电阻0.7 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-205AF
JESD-30 代码O-MBCY-W3
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

FRL234D相似产品对比

FRL234D FRL234H FRL234R
描述 Power Field-Effect Transistor, 0.7ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL CAN, TO-205AF, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 0.7ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL CAN, TO-205AF, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 0.7ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL CAN, TO-205AF, 3 PIN
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
Is Samacsys N N N
其他特性 RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED
最大漏源导通电阻 0.7 Ω 0.7 Ω 0.7 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-205AF TO-205AF TO-205AF
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
端子数量 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
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