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IRF610STRR

产品描述Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小178KB,共6页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRF610STRR概述

Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN

IRF610STRR规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)64 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)3.3 A
最大漏源导通电阻1.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值36 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)10 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IRF610STRR相似产品对比

IRF610STRR IRF610STRL
描述 Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
零件包装代码 D2PAK D2PAK
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 4 4
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N
雪崩能效等级(Eas) 64 mJ 64 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 3.3 A 3.3 A
最大漏源导通电阻 1.5 Ω 1.5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 36 W 36 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 10 A 10 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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