SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA62, 8 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-210, LFBGA-62
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | LFBGA, |
| 针数 | 62 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Is Samacsys | N |
| 其他特性 | SRAM IS ORGANIZED AS 512K X 16 / 1024K X 8; FLASH CAN ALSO BE ORGANIZED AS 2M X 8 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B62 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 长度 | 10 mm |
| 内存密度 | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 62 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -20 °C |
| 组织 | 1MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LFBGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.4 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子面层 | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 宽度 | 8 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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