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NB312E

产品描述TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-92
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小298KB,共4页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数

NB312E概述

TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-92

NB312E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)1.5 A
配置Single
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.6 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)20 MHz
Base Number Matches1

 
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