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NM27P512VE200

产品描述64KX8 OTPROM, 200ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
产品类别存储    存储   
文件大小286KB,共9页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数

NM27P512VE200概述

64KX8 OTPROM, 200ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

NM27P512VE200规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码QFJ
包装说明QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最长访问时间200 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQCC-J32
JESD-609代码e0
长度13.995 mm
内存密度524288 bit
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC32,.5X.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.56 mm
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度11.455 mm
Base Number Matches1
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