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PH2520U

产品描述Power Field-Effect Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小314KB,共13页
制造商Nexperia
官网地址https://www.nexperia.com
标准
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PH2520U概述

Power Field-Effect Transistor

PH2520U规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)250 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)100 A
最大漏源导通电阻0.0039 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)300 A
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
Altium Designer v21.2.0.30
[i=s] 本帖最后由 dcexpert 于 2021-3-6 20:46 编辑 [/i][hide]百度网盘:https://pan.baidu.com/s/1TcUbZxmKLPxMkMPM38g2XA提取码: am3t[/hide]...
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