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LMV712IDRCR

产品描述

LMV712IDRCR放大器基础信息:

LMV712IDRCR是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为SON-10

LMV712IDRCR放大器核心信息:

LMV712IDRCR的最低工作温度是-40 °C,最高工作温度是85 °C。25℃下的最大偏置电流为:0.000115 µA他的最大平均偏置电流为0.00013 µA

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,LMV712IDRCR的标称压摆率有5 V/us。厂商给出的LMV712IDRCR的最大压摆率为3.8 mA.其最小电压增益为6300。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,LMV712IDRCR增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为5000 kHz。LMV712IDRCR的功率为NO。其可编程功率为NO。

LMV712IDRCR的标称供电电压为5 V。而其供电电源的范围为:2.7/5 V。LMV712IDRCR的输入失调电压为3200 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

LMV712IDRCR的相关尺寸:

LMV712IDRCR的宽度为:3 mm,长度为3 mmLMV712IDRCR拥有10个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为0.5 mm。共有针脚:10

LMV712IDRCR放大器其他信息:

LMV712IDRCR采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。LMV712IDRCR的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:INDUSTRIAL。

其不属于微功率放大器。其对应的的JESD-30代码为:S-PDSO-N10。LMV712IDRCR的封装代码是:HVSON。LMV712IDRCR封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。而其封装形状为SQUARE。

LMV712IDRCR封装引脚的形式有:SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE。其端子形式有:NO LEAD。座面最大高度为1 mm。

产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小186KB,共11页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
器件替换:LMV712IDRCR替换放大器
敬请期待 详细参数 选型对比

LMV712IDRCR概述

LMV712IDRCR放大器基础信息:

LMV712IDRCR是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为SON-10

LMV712IDRCR放大器核心信息:

LMV712IDRCR的最低工作温度是-40 °C,最高工作温度是85 °C。25℃下的最大偏置电流为:0.000115 µA他的最大平均偏置电流为0.00013 µA

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,LMV712IDRCR的标称压摆率有5 V/us。厂商给出的LMV712IDRCR的最大压摆率为3.8 mA.其最小电压增益为6300。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,LMV712IDRCR增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为5000 kHz。LMV712IDRCR的功率为NO。其可编程功率为NO。

LMV712IDRCR的标称供电电压为5 V。而其供电电源的范围为:2.7/5 V。LMV712IDRCR的输入失调电压为3200 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

LMV712IDRCR的相关尺寸:

LMV712IDRCR的宽度为:3 mm,长度为3 mmLMV712IDRCR拥有10个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为0.5 mm。共有针脚:10

LMV712IDRCR放大器其他信息:

LMV712IDRCR采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。LMV712IDRCR的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:INDUSTRIAL。

其不属于微功率放大器。其对应的的JESD-30代码为:S-PDSO-N10。LMV712IDRCR的封装代码是:HVSON。LMV712IDRCR封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。而其封装形状为SQUARE。

LMV712IDRCR封装引脚的形式有:SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE。其端子形式有:NO LEAD。座面最大高度为1 mm。

LMV712IDRCR规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SON
包装说明SON-10
针数10
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.00013 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.000115 µA
标称共模抑制比80 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压3200 µV
JESD-30 代码S-PDSO-N10
长度3 mm
低-偏置YES
低-失调NO
微功率NO
功能数量2
端子数量10
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码HVSON
封装等效代码SOLCC10,.11,20
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
包装方法TAPE AND REEL
功率NO
电源2.7/5 V
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
座面最大高度1 mm
标称压摆率5 V/us
最大压摆率3.8 mA
供电电压上限5.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术BICMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
标称均一增益带宽5000 kHz
最小电压增益6300
宽带NO
宽度3 mm
Base Number Matches1

LMV712IDRCR相似产品对比

LMV712IDRCR LMV712IDRCT
描述 IC DUAL OP-AMP, 3200 uV OFFSET-MAX, 5 MHz BAND WIDTH, PDSO10, SON-10, Operational Amplifier DUAL OP-AMP, 3200uV OFFSET-MAX, 5MHz BAND WIDTH, PDSO10, SON-10
零件包装代码 SON SON
包装说明 SON-10 SON-10
针数 10 10
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.00013 µA 0.00013 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.000115 µA 0.000115 µA
标称共模抑制比 80 dB 80 dB
频率补偿 YES YES
最大输入失调电压 3200 µV 3200 µV
JESD-30 代码 S-PDSO-N10 S-PDSO-N10
长度 3 mm 3 mm
低-偏置 YES YES
低-失调 NO NO
微功率 NO NO
功能数量 2 2
端子数量 10 10
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 HVSON HVSON
封装等效代码 SOLCC10,.11,20 SOLCC10,.11,20
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
包装方法 TAPE AND REEL TAPE AND REEL
功率 NO NO
电源 2.7/5 V 2.7/5 V
可编程功率 NO NO
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1 mm 1 mm
标称压摆率 5 V/us 5 V/us
最大压摆率 3.8 mA 3.8 mA
供电电压上限 5.5 V 5.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 YES YES
技术 BICMOS BICMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 DUAL DUAL
标称均一增益带宽 5000 kHz 5000 kHz
最小电压增益 6300 6300
宽带 NO NO
宽度 3 mm 3 mm
Base Number Matches 1 1

 
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