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CP551

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-92, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小124KB,共4页
制造商CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
标准
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CP551概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-92, 3 PIN

CP551规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)1 A
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.75 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
Base Number Matches1

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Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949 and ISO 9001 Certified Manufacturer
PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
CP550 / CP551
TO-92
Plastic Package
E
BC
General Purpose Transistors designed for Small and Medium Signal Amplification
from D.C to Radio Frequencies
Complementary CN450 and CN451
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
DESCRIPTION
Collector Base Voltage
Collector Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
Peak Pulse Current
Collector Current Continuous
Base Current
Power Dissipation @ T
a
=25ºC
Power Dissipation @ T
a
=25ºC
Power Dissipation @ T
c
=25ºC
Operating and Storage Junction
Temperature Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
*P
D
P
D
T
j
, T
stg
CP550
60
45
5.0
2.0
1.0
200
0.8
1.0
2.0
- 65 to +150
CP551
80
60
UNITS
V
V
V
A
A
mA
W
W
W
ºC
*Transistors mounted on printed circuit board. Lead Length 4mm, mounting pad for collector lead min
10mm x 10 mm, copper
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
a
=25ºC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
Collector Cut Off Current
Emitter Cut Off Current
Collector Emitter Saturation Voltage
Base Emitter Saturation Voltage
Collector Emitter Voltage
DC Current Gain
DYNAMIC CHARACTERISTICS
DESCRIPTION
Transition Frequency
Output Capacitance
CP550_551Rev_2 211204E
SYMBOL
I
CBO
I
EBO
**V
CE (sat)
**V
BE (sat)
V
CEO
**h
FE
TEST CONDITION
V
CB
=45V, I
E
=0
V
CB
=60V, I
E
=0
V
EB
=4V, I
C
=0
I
C
=150mA, I
B
=15mA
I
C
=150mA, I
B
=15mA
I
C
=1mA, I
B
=0
V
CE
=10V, I
C
=150mA
V
CE
=10V, I
C
=1A
TEST CONDITION
V
CE
=10V, I
C
=50mA,
f=100MHz
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
CP550
<100
<100
<0.25
<1.1
>45
100 - 300
>15
CP551
<100
<100
<0.35
<1.1
>60
50 - 150
>10
UNITS
nA
nA
nA
V
V
V
SYMBOL
f
T
C
obo
CP550
>150
<25
CP551
>150
<25
UNITS
MHz
pF
**Measured under Pulse Condition: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle < 2%.
µ
Continental Device India Limited
Data Sheet
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CP551相似产品对比

CP551 CP550
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-92, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-92, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 TO-92 TO-92
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 10 15
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.75 W 0.75 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 150 MHz 150 MHz
大哥们 可以帮我看一下ads1118为什么不能返回数据吗?
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