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SM15T12A/9T-E3

产品描述DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, PLASTIC, SMC, 2 PIN, Transient Suppressor
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小68KB,共3页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准  
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SM15T12A/9T-E3概述

DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, PLASTIC, SMC, 2 PIN, Transient Suppressor

SM15T12A/9T-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-214AB
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOW INDUCTANCE
最大击穿电压12.6 V
最小击穿电压11.4 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散6.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层MATTE TIN
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
Base Number Matches1

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SM15T
Series
Surface Mount T
RANS
Z
ORB
®
Transient Voltage Suppressor
DO-214AB (SMC J-Bend)
Cathode Band
Breakdown Voltage
6.8 to 220V
Peak Pulse Power
1500W
0.126 (3.20)
0.114 (2.90)
0.245 (6.22)
0.220 (5.59)
uct
rod
wP
Ne
0.121 MIN.
(3.07 MIN.)
Mounting Pad Layout
0.185 MAX.
(4.69 MAX.)
0.280 (7.11)
0.260 (6.60)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.103 (2.62)
0.079 (2.06)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.320 (8.13)
0.305 (7.75)
0.060 MIN.
(1.52 MIN.)
0.008
(0.203)
Max.
Dimensions in inches
and (millimeters)
0.320 REF
Mechanical Data
Case:
JEDEC DO-214AB (SMC) molded plastic over
passivated junction
Terminals:
Solder plated, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity:
For uni-directional types the band denotes the
cathode, which is positive with respect to the anode
under normal TVS operation
Standard Packaging:
12mm tape (EIA STD RS-481)
Weight:
0.003 ounces, 0.093 grams
Packaging codes/options:
9/3.5K per 13” Reel (16mm Tape)
7/850 EA per 7” Reel (16mm Tape)
Features
• Low profile package with built-in strain relief for
surface mounted applications
• Glass passivated junction
• Low inductance
• Excellent clamping capability
• 1500W peak pulse power capability with a 10/1000µs
waveform, repetition rate (duty cycle): 0.01%
• Fast response time: theoretically (with no parisitic
inductance) less than 1ps from 0 Volts to V
(BR)
for
undirectional and 5ns for bidirectional types
• High temperature soldering: 250°C/10 seconds at terminals
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
Devices for Bidirectional Applications
For bi-directional devices, use suffix CA (e.g. 1.5SMC10CA). Electrical characteristics apply in both directions.
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Parameter
Peak pulse power dissipation with
a 10/1000µs waveform
(1)(2)
(Fig. 1)
Peak pulse current with a 10/1000µs waveform
(1)
(Fig. 3)
Power dissipation on infinite heatsink, T
A
= 50°C
Peak forward surge current 10ms single half sine-wave
uni-directional only
(2)
Typical thermal resistance junction to ambient air
(3)
Typical thermal resistance junction to leads
Operating junction and storage temperature range
Symbol
P
PPM
I
PPM
P
M(AV)
I
FSM
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
STG
Value
Minimum 1500
See Next Table
6.5
200
75
15
–65 to +150
Unit
W
A
W
A
°C/W
°C/W
°C
Notes:
(1) Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T
A
= 25°C per Fig. 2
(2) Mounted on 0.31 x 0.31” (8.0 x 8.0mm) copper pads to each terminal
(3) Mounted on minimum recommended pad layout
9/1/00
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