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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HY628100LR1-120
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HY628100LR1-120

产品描述Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32
产品类别存储    存储   
文件大小238KB，共12页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
下载文档 详细参数 全文预览

HY628100LR1-120概述

Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32

HY628100LR1-120规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TSOP1
包装说明TSOP1-R,
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最长访问时间120 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e6
长度18.4 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX8
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1-R
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最小待机电流2 V
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN BISMUTH
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
宽度8 mm
Base Number Matches1

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