OTP ROM, 64X1, CMOS, PDIP8, DIP-8
| 参数名称 | 属性值 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
| 长度 | 8.8 mm |
| 内存密度 | 64 bit |
| 内存集成电路类型 | OTP ROM |
| 内存宽度 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 64 words |
| 字数代码 | 64 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | -20 °C |
| 组织 | 64X1 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.5 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| S-2100RDP | S-2100RFE | |
|---|---|---|
| 描述 | OTP ROM, 64X1, CMOS, PDIP8, DIP-8 | OTP ROM, 64X1, CMOS, PDSO8, SOP-8 |
| 零件包装代码 | DIP | SOIC |
| 包装说明 | DIP, | SOP, |
| 针数 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| Is Samacsys | N | N |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 | S-PDSO-G8 |
| 长度 | 8.8 mm | 5 mm |
| 内存密度 | 64 bit | 64 bit |
| 内存集成电路类型 | OTP ROM | OTP ROM |
| 内存宽度 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 |
| 字数 | 64 words | 64 words |
| 字数代码 | 64 | 64 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 最低工作温度 | -20 °C | -20 °C |
| 组织 | 64X1 | 64X1 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE |
| 封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | SERIAL | SERIAL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.5 mm | 2.15 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm | 5 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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