HC/UH SERIES, TRIPLE 3-INPUT NAND GATE, CQCC20, CERAMIC, LCC-20
| 参数名称 | 属性值 |
| 零件包装代码 | QLCC |
| 包装说明 | QCCN, |
| 针数 | 20 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| Is Samacsys | N |
| 系列 | HC/UH |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 |
| 长度 | 8.89 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE |
| 功能数量 | 3 |
| 输入次数 | 3 |
| 端子数量 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 传播延迟（tpd） | 145 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 |
| 座面最大高度 | 2.03 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 宽度 | 8.89 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| SNJ54HC10FKR | SNJ54HC10WR | |
|---|---|---|
| 描述 | HC/UH SERIES, TRIPLE 3-INPUT NAND GATE, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 | HC/UH SERIES, TRIPLE 3-INPUT NAND GATE, CDFP14, CERAMIC, DFP-14 |
| 零件包装代码 | QLCC | DFP |
| 包装说明 | QCCN, | CERAMIC, DFP-14 |
| 针数 | 20 | 14 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 系列 | HC/UH | HC/UH |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 | R-GDFP-F14 |
| 长度 | 8.89 mm | 9.21 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE | NAND GATE |
| 功能数量 | 3 | 3 |
| 输入次数 | 3 | 3 |
| 端子数量 | 20 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | QCCN | DFP |
| 封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | FLATPACK |
| 传播延迟（tpd） | 145 ns | 145 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 | MIL-PRF-38535 |
| 座面最大高度 | 2.03 mm | 2.03 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 6 V | 6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2 V | 2 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD | FLAT |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL |
| 宽度 | 8.89 mm | 6.285 mm |
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