HY62QF16803ALLM-70I,HY62QF16803ALLM-70I pdf中文资料,HY62QF16803ALLM-70I引脚图,HY62QF16803ALLM-70I电路-Datasheet-电子工程世界

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HY62QF16803ALLM-70I: 产品描述Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48; 产品类别存储存储; 文件大小143KB，共8页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HY62QF16803ALLM-70I概述

Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48

HY62QF16803ALLM-70I规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	BGA
包装说明	VFBGA,
针数	48
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
Is Samacsys	N
最长访问时间	70 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e1
长度	8.5 mm
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	48
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	0.95 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	7.4 mm
Base Number Matches	1

HY62QF16803ALLM-70I相似产品对比

	HY62QF16803ALLM-70I	HY62QF16803ASLM-10I	HY62QF16803ASLM-70I	HY62QF16803ALLM-10I	HY62QF16803ALLM-85I	HY62QF16803ASLM-85I
描述	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48	Standard SRAM, 512KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48	Standard SRAM, 512KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48	Standard SRAM, 512KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48	Standard SRAM, 512KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	VFBGA,	VFBGA,	VFBGA,	VFBGA,	VFBGA,	VFBGA,
针数	48	48	48	48	48	48
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	70 ns	100 ns	70 ns	100 ns	85 ns	85 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1	e1	e1
长度	8.5 mm	8.5 mm	8.5 mm	8.5 mm	8.5 mm	8.5 mm
内存密度	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	48	48	48	48	48	48
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	0.95 mm	0.95 mm	0.95 mm	0.95 mm	0.95 mm	0.95 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	7.4 mm	7.4 mm	7.4 mm	7.4 mm	7.4 mm	7.4 mm
厂商名称	-	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)

HY62QF16803ALLM-70I

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