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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRF9522-001PBF
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IRF9522-001PBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 100V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小41KB，共1页
制造商International Rectifier （ Infineon ）
官网地址http://www.irf.com/
标准  
下载文档 详细参数 全文预览

IRF9522-001PBF概述

Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 100V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IRF9522-001PBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)5.9 A
最大漏源导通电阻0.8 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）250
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)24 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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