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HB56AW873E-5

产品描述Fast Page DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, 1.27 MM PITCH, DIMM-168
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文件大小547KB,共24页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HB56AW873E-5概述

Fast Page DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, 1.27 MM PITCH, DIMM-168

HB56AW873E-5规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM168
针数168
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
访问模式FAST PAGE
最长访问时间50 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度603979776 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM168
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度25.4 mm
最大待机电流0.0145 A
最大压摆率1.225 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

HB56AW873E-5相似产品对比

HB56AW873E-5 HB56AW873E-6
描述 Fast Page DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, 1.27 MM PITCH, DIMM-168 Fast Page DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, 1.27 MM PITCH, DIMM-168
零件包装代码 DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168
针数 168 168
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 50 ns 60 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 603979776 bit 603979776 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度 72 72
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 168 168
字数 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 8MX72 8MX72
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM168 DIMM168
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096
座面最大高度 25.4 mm 25.4 mm
最大待机电流 0.0145 A 0.0145 A
最大压摆率 1.225 mA 1.045 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL

 
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