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HY27UF084G2M-UPEB

产品描述Flash, 512MX8, 25ns, PBGA52, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, LEAD FREE, ULGA-52
产品类别存储    存储   
文件大小337KB,共49页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准  
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HY27UF084G2M-UPEB概述

Flash, 512MX8, 25ns, PBGA52, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, LEAD FREE, ULGA-52

HY27UF084G2M-UPEB规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码LGA
包装说明VFBGA, LGA52(UNSPEC)
针数52
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.1.A
Is SamacsysN
最长访问时间25 ns
命令用户界面YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PBGA-B52
长度17 mm
内存密度4294967296 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模4K
端子数量52
字数536870912 words
字数代码512000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织512MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装等效代码LGA52(UNSPEC)
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小2K words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/3.3 V
编程电压3.3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度0.65 mm
部门规模128K
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间20
切换位NO
类型NAND TYPE
宽度12 mm
Base Number Matches1

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