5962-8601506XC概述

Standard SRAM, 64KX1, 55ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22

5962-8601506XC规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP,
针数	22
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
Is Samacsys	N
最长访问时间	55 ns
JESD-30 代码	R-CDIP-T22
JESD-609代码	e4
长度	27.94 mm
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	1
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	22
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	64KX1
输出特性	3-STATE
可输出	NO
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.89 mm
最小待机电流	2 V
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	GOLD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

5962-8601506XC相似产品对比

	5962-8601506XC	5962-8601505XX	5962-8601503XX	5962-8601502XX	5962-8601506XX	5962-8601504XX	5962-8601501XX	5962-8601502XC	5962-8601504XC
描述	Standard SRAM, 64KX1, 55ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 64KX1, 55ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 64KX1, 45ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 64KX1, 35ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 64KX1, 55ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 64KX1, 45ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 64KX1, 35ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 64KX1, 35ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 64KX1, 45ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
包装说明	DIP,	DIP,	DIP,	DIP,	DIP,	DIP,	DIP,	DIP,	DIP,
针数	22	22	22	22	22	22	22	22	22
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	55 ns	55 ns	45 ns	35 ns	55 ns	45 ns	35 ns	35 ns	45 ns
JESD-30 代码	R-CDIP-T22	R-CDIP-T22	R-CDIP-T22	R-CDIP-T22	R-CDIP-T22	R-CDIP-T22	R-CDIP-T22	R-CDIP-T22	R-CDIP-T22
长度	27.94 mm	27.94 mm	27.94 mm	27.94 mm	27.94 mm	27.94 mm	27.94 mm	27.94 mm	27.94 mm
内存密度	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	1	1	1	1	1	1	1	1	1
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	22	22	22	22	22	22	22	22	22
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	64KX1	64KX1	64KX1	64KX1	64KX1	64KX1	64KX1	64KX1	64KX1
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	SERIAL	SERIAL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	SERIAL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.89 mm	3.89 mm	3.89 mm	3.89 mm	3.89 mm	3.89 mm	3.89 mm	3.89 mm	3.89 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1	-

推荐资源

低压无功补偿控制电路之一

使用KTA431(TL431)的高精度稳压器

开关电源中几种过流保护方式: 之前有个老师找我帮忙，让我做一个信号采集电路，信号源就包括阻性的压力传感器和是多路的金属压力传感器（电桥式）。因为电源用信号源输出的电源，在仪器上，之前烧过一个……汗……所以这次 ......; zhengenhao 模拟与混合信号

最热国产季，一颗中国芯~国芯活动陆续上线，帖子讨论很热闹，国芯版块欢迎你~: 来喊一遍口号：最热国产季，一颗中国芯！国产芯片交流版块自建立起来，活动不断，讨论不断，可以看到大家对国产芯的热情和兴趣。欢迎大家来国产芯片版块交流，分享，讨论，玩耍~~ ......; okhxyyo 国产芯片交流

【Link Node试用】一：晒晒板子: 今天中午刚收到的，一个长盒子，还以为包装盒也很长呢{:1_133:}，拆开才发现没那么夸张 238342 238343 板子比想象的小很多{:1_101:} 238345 238346 背面一个CR2303电池座，暂时还 ......; 数码小叶无线连接

单片机在什么情况下易损坏: 请问：单片机在使用中什么情况下某一个I/O口突然不起作用，而其它I/O口都正常？我遇到好多单片机坏的都是这个问题，不是固定的某个I/O口，是随机的，我做了好多试验就是找不到问题， ......; 000juli 嵌入式系统

关于"2ASK通信系统设计"的求助: 大家好~~ 我求助~~~ 要求用EDA设计一个调制系统,大体思路如下,用与门做一个乘法器，用计数器做一个分频器将时钟脉冲分频为低频的载波，再与输入信号相乘从而得出所要的调制信号！ ......; 大漠风云 FPGA/CPLD

求教大神，一条语句占用了FPGA9万多个逻辑单元: 语句是： input wire addr,//接入的是dsp_ea output reg q, reg headers, //'define TEST 'ifdef TEST .... 'else always@(posedge clk)begin if(rden)begin q...; lakas FPGA/CPLD

2006年中国的RFID产业的回顾与展望

　　我们在2006年的最后一天，盘点一年里RFID产业的发展里程。在“十一五”开局之年，发展政策与规划纷纷出台，引导RFID产业沿着自主、创新、开放和健康的秩序发展，技术创新与应用呈现破茧之势，整个RFID行业正在走出混沌，迎接曙光。　　【RFID射频快报2006年12月31日专稿】我们在2006年的最后一天，盘点一年里RFID产业的发展里程。在“十一五”开局之年，发展政策与规划纷纷出台，引...[详细]
我国首台遗传性耳聋基因芯片检测系统

　　“遗传性耳聋基因芯片检测系统”研发日前获得成功，从而为耳聋出生缺陷的“早发现、早预防、早治疗”，提供了有效的高科技手段。　　据了解，以往临床医生对于耳聋预防可采取的办法很少，而且效果不佳。这项由生物芯片北京国家工程研究中心等单位联合取得的成果，可快速准确检测出遗传性耳聋成因，并有针对性地指导治疗。　　中国聋儿康复研究中心副主任孙喜斌教授介绍，我国有听力障碍患者总数达2780万多人，...[详细]
合众达电子与中国科大再建Xilinx联合实验室

　　7月9日上午，中国科技大学与美国赛灵思(XILINX)联合建设的“中国科技大学—XILINX公司联合实验室”揭牌仪式在中国科技大学信息科学技术学院电子科学与技术系隆重举行。　　联合实验室采用了Xilinx公司SPARTAN-3E系列为主的FPGA教学实验开发系统，另外配备多套开发软件，主要承担了中国科技大学“PLD与数字系统设计”研究生课程和电子科学与技术系“电子系统设计”课程的教学任务...[详细]
合众达电子与中国科大再建Xilinx联合实验室

　　7月9日上午，中国科技大学与美国赛灵思(XILINX)联合建设的“中国科技大学—XILINX公司联合实验室”揭牌仪式在中国科技大学信息科学技术学院电子科学与技术系隆重举行。　　联合实验室采用了Xilinx公司SPARTAN-3E系列为主的FPGA教学实验开发系统，另外配备多套开发软件，主要承担了中国科技大学“PLD与数字系统设计”研究生课程和电子科学与技术系“电子系统设计”课程的教学任务...[详细]
芯片实验室及其发展趋势

　　一、前言　　芯片实验室（Lab-on-a-chip）或称微全分析系统（Miniaturized Total Analysis System, µ-TAS）是指把生物和化学等领域中所涉及的样品制备、生物与化学反应、分离检测等基本操作单位集成或基本集成一块几平方厘米的芯片上，用以完成不同的生物或化学反应过程，并对其产物进行分析的一种技术。它是通过分析化学、微机电加工（MEMS）、计算机、电...[详细]
TI推出ZigBee认证Z-Stack 软件的最新版

2008 年 7 月 11 日, 德州仪器 (TI) 宣布推出业界领先的 ZigBee 认证 Z-Stack 软件的最新版（可通过 http://focus.ti.com.cn/cn/docs/toolsw/folders/print/z-stack.html 免费下载），此举进一步加强了其在 ZigBee 软硬件系列解决方案领域的领先地位。 Z-Stack...[详细]
深圳：IC设计基地集聚效应显现

　　深圳基地实施的策略是：建立专业化的开放的公共技术服务平台，提供全面的技术服务。通过建设IC设计专业孵化器，孵小扶强，降低门槛，提高水平，全面服务于整个产业链，为芯片设计、系统厂商、生产制造、市场销售、风险投资等各环节的合作牵线搭桥，达到全面整合、联合、组合和聚合深圳IC设计企业和人才的效果。　　深圳集成电路设计产业化基地管理中心副主任周生明　　深圳IC设计产业化基地全面服务...[详细]
Modbus RTU通信协议在MCF51QE128上的实现(图)

　　工业控制已从单机控制走向集中监控、集散控制，如今已进入网络集约制造时代。工业控制器连网也为网络管理提供了方便。Modbus就是工业控制器的网络协议中的一种。Modbus协议是应用于电子控制器上的一种通信规约。通过此协议，控制器相互之间、控制器经由网络(例如以太网)和其他设备之间可以通信。它已经成为主流的工业标准之一。不同厂商生产的控制设备通过Modbus协议可以连成工业网络，进行集中监控。 ...[详细]
TI推出支持USB OTG 的锂离子充电器

2008 年 7 月 21 日, 德州仪器 (TI) 宣布推出一款面向便携式电子产品的 3 MHz 开关模式电池充电管理集成电路 (IC) ，使其可通过适配器或 USB 端口进行充电。与典型线性充电器相比，这款微型 2 毫米 x 2 毫米开关模式充电器 — bq24150 ，不仅可大幅缩短充电时间，降低功耗，而且还可将板级空间减少一半。更多详...[详细]
下一代手机中的电源管理分割方案(附图解）

　　第三代(3G)手机可提供具有更多功能的各种特性。当消费者享用这些通信设备最新及更好功能的时候，他们还继续要求单个电池的工作时间更长、手机的外形尺寸更小。尽管IC集成可帮助解决尺寸问题，但同时也会增加设计复杂度并限制设计灵活性。当今的手机设计工程师必须考虑多种因素来有效地优化电池使用，以延长电池工作时间。因此，必须结合使用高度集成化的电源管理单元和高性能分立器件来进行电池管理、功率转换以及系统...[详细]
ADI与中国伙伴共同营建本地DSP生态环境

　　亚德诺半导体公司（Analog Devices, Inc.）与中国区合作伙伴共同宣布可向市场提供全系列的Blackfin本地开发工具。这些本地开发工具包括仿真器、开发板和软件模块，针对的处理器范围包括从BF531到最新的BF52x和BF54x的全系列Blackfin。　　作为世界领先的通用DSP处理器提供商，ADI公司一直致力于向客户提供技术先进及商业用途广泛的DSP处理器芯片和方案，同...[详细]
当之无愧的巨人英特尔“开启了一个时代”

　　1978年6月8号，Intel发布了其第一款16位的微处理器--8086，还有一句著名的广告语“开启了一个时代”。这可能有点夸大其词？但是现在看来还是相当准确的。当8086的光环退去之后，其支撑架构——后来我们所熟知的x86也成为了最成功的业界技术标准。　　“X86”是Intel和其他几家公司处理器所支持的一组机器指令集，它大致确定了芯片的使用规范。从8086到80186、80286...[详细]
Intel 走过30年 ——嵌入睿智尽现精彩

英特尔庆祝服务嵌入式计算市场 30 年，并推出嵌入式四核英特尔® 至强® 处理器。 2007 年 4 月 18 日，英特尔公司在 2007 年英特尔信息技术峰会（IDF）上，召开主题为“嵌入睿智尽现精彩”的庆祝活动，纪念其产品和技术在嵌入式计算市场走过的 30 年，并回顾其创新发展的辉煌历程。英特尔公司还宣布为进一步加强对中国市场的承诺，推出具有更长生命周期支持的四核英特尔® 至...[详细]
瞄准大众市场　苹果降低iPhone 3G成本

　　据iSuppli公司本周末进行的物理拆机分析，新款iPhone 3G采用了进化性的设计，而没有采用前沿性的特点，这有利于降低成本，符合苹果公司扩大市场份额和行销全球的目标。　　iSuppli公司在7月11日得到了一部iPhone 3G，并对其进行了拆解，以确定其中的元件供应商，以及主要部件成本和系统成本。根据拆机分析和分析师的研究，iSuppli公司初步估计8Gbyte iPhone 3...[详细]
显示器：有什么技术能够阻止HDMI的发展？

　　随着高清(HD)技术继续在消费电子与显示领域发展，用于连接HD设备的高清多媒体接口(HDMI)技术的占有率也随之不断提高。虽然DisplayPort显示出了一些发展前景，但这种技术，或者其它任何技术，是否能够真正对HDMI构成挑战？　　消费者喜欢象平板电视和蓝光DVD播放器这样的高清视频产品。但是，消费者不喜欢电子产品制造商连接这些设备的传统方式，包括不太好用的连接器和乱七八糟的线缆。 ...[详细]

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多