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TZX33B

产品描述Zener Diode, 33V V(Z), 2.13%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小65KB,共4页
制造商Diodes Incorporated
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TZX33B概述

Zener Diode, 33V V(Z), 2.13%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, GLASS PACKAGE-2

TZX33B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DO-35
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗120 Ω
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压33 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差2.13%
工作测试电流2 mA
Base Number Matches1

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TZX2V4 - TZX36C
500mW EPITAXIAL PLANAR ZENER DIODE
Features
·
·
·
Planar Die Construction
500mW Power Dissipation on FR-4 PCB
General Purpose, Medium Current
A
PRELIMINARY
B
A
Mechanical Data
·
·
·
·
·
Case: DO-35, Glass
Leads: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Marking: Type Number
Polarity: Cathode Band
Weight: 0.35 grams (approx.)
DO-35
Dim
A
B
C
D
Min
25.40
¾
¾
¾
D
C
Max
¾
4.00
0.60
2.00
All Dimensions in mm
Maximum Ratings
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Symbol
¾
@ I
F
= 200mA
V
F
P
d
R
qJA
T
j,
T
STG
Value
¾
1.5
500
300
-65 to +175
Unit
¾
V
mW
K/W
°C
Characteristic
Zener Current (See Table on page 2)
Forward Voltage
Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)
Operating and Storage Temperature Range
Notes:
1. Valid provided that leads are kept at ambient temperature.
2. Tested with pulses, t
£
1.0ms.
DS30089 Rev. 1P-5
1 of 4
TZX2V4 - TZX36C
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