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CTLT7410-M621TRLEADFREE

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小653KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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CTLT7410-M621TRLEADFREE概述

Transistor

CTLT7410-M621TRLEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)1 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)100
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.9 W
表面贴装YES
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

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CTLT3410-M621 (NPN)
CTLT7410-M621 (PNP)
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY
LOW VCE(SAT)
SILICON TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLT3410-M621
and CTLT7410-M621 are Low VCE(SAT) transistors in
a very small leadless 1x2mm surface mount package,
designed for applications where small size, operational
efficiency, and low energy consumption are prime
requirements. Due to the leadless package design,
these devices are capable of dissipating up to 3 times
the power of similar devices in comparable sized
surface mount packages.
MARKING CODES: CTLT3410-M621: CB
CTLT7410-M621: CD
FEATURES:
High Operational Efficiency
High Power to Footprint Ratio
VCE(SAT) @ 1.0A = 250mV TYP
High Collector Current
Small TLM621 1x2mm Package
UNITS
V
V
V
A
A
W
°C
°C/W
TLM621 CASE
APPLICATIONS:
DC - DC Converters
Switching Circuits
LCD Backlighting
Battery Powered Portable Equipment
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Power Dissipation (Note 1)
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance (Note 1)
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
40
25
6.0
1.0
1.5
0.9
-65 to +150
139
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
NPN
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
ICBO
VCB=40V
IEBO
VEB=6.0V
BVCBO
IC=100µA
40
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VCE(SAT)
IC=10mA
IE=100µA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=100mA, IB=10mA
IC=200mA, IB=20mA
IC=500mA, IB=50mA
IC=800mA, IB=80mA
IC=1.0A, IB=100mA
25
6.0
25
40
80
190
290
360
PNP
TYP
MAX
100
100
UNITS
nA
nA
V
V
V
30
50
95
205
320
400
50
75
150
250
400
450
mV
mV
mV
mV
mV
mV
Notes (1) FR-4 Epoxy PCB with copper mounting pad area of 33mm2
R3 (1-August 2011)

CTLT7410-M621TRLEADFREE相似产品对比

CTLT7410-M621TRLEADFREE CTLT7410-M621TR CTLT3410-M621TR
描述 Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 1 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, CASE TML621, 6 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 1 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, CASE TML621, 6 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合
包装说明 , SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A
配置 Single SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 50 50
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 PNP PNP NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.9 W 0.9 W 0.9 W
表面贴装 YES YES YES
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz
Is Samacsys N N -
Base Number Matches 1 1 -
针数 - 6 6
制造商包装代码 - CASE TML621 CASE TML621
ECCN代码 - EAR99 EAR99
外壳连接 - COLLECTOR COLLECTOR
集电极-发射极最大电压 - 25 V 25 V
JESD-30 代码 - R-PDSO-N6 R-PDSO-N6
湿度敏感等级 - 1 1
元件数量 - 1 1
端子数量 - 6 6
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) - 260 260
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
端子形式 - NO LEAD NO LEAD
端子位置 - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - 10 10
晶体管应用 - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 - SILICON SILICON

 
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