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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMKT5087BK
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CMKT5087BK

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ULTRAMINI PACKAGE-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小428KB，共2页
制造商Central Semiconductor
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CMKT5087BK概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ULTRAMINI PACKAGE-6

CMKT5087BK规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.05 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)250
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)40 MHz
Base Number Matches1

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CMKT5078 NPN/PNP
CMKT5087 PNP/PNP
CMKT5088 NPN/NPN
SURFACE MOUNT
DUAL SILICON TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The Central Semiconductor CMKT5078 (one each
NPN and PNP complementary), CMKT5087 (two
single PNP), and CMKT5088 (two single NPN) are
combinations of transistors in a space saving
SOT-363 ULTRAmini™ package, designed for
applications requiring high gain and low noise.
CMKT5078 MARKING CODE: K78
CMKT5087 MARKING CODE: K87
CMKT5088 MARKING CODE: K88
SOT-363 CASE
FEATURES:
• ULTRAmini™ space saving package
• Two NPN (5088) or Two PNP (5087)
Transistors in a single package
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
• One NPN (5088) and one PNP (5087)
complementary Transistor in a single package
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
NPN
35
30
4.5
PNP
50
50
3.0
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
50
350
-65 to +150
357
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
(TA=25°C unless otherwise noted)
NPN
PNP
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
MIN
MAX
ICBO
VCB=10V
-
-
-
10
ICBO
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
Cib
hfe
NF
VCB=35V
VCB=20V
VEB=3.0V
IC=100μA
IC=1.0mA
IE=100μA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=10mA, IB=1.0mA
VCE=5.0V, IC=0.1mA
VCE=5.0V, IC=1.0mA
VCE=5.0V, IC=10mA
VCE=5.0V, IC=500μA, f=20MHz
VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz
VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
VCE=5.0V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
VCE=5.0V, IC=100μA, RS=10kΩ,
f=10Hz to 15.7kHz
-
-
-
35
30
4.5
-
-
300
350
300
50
-
-
350
-
-
50
50
-
-
-
0.50
0.80
900
-
-
-
4.0
15
1400
3.0
-
-
-
50
50
3.0
-
-
250
250
250
40
-
-
250
-
50
-
-
-
-
-
0.30
0.85
800
-
-
-
4.0
-
900
2.0
UNITS
nA
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
MHz
pF
pF
dB
R4 (13-January 2010)

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