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CY14B256L-SZ45XI

产品描述32K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 45 ns, PDSO32, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-32
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共20页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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CY14B256L-SZ45XI在线购买

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CY14B256L-SZ45XI概述

32K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 45 ns, PDSO32, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-32

CY14B256L-SZ45XI规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOIC
包装说明SOP,
针数32
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
最长访问时间45 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e3
长度20.726 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量32
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态COMMERCIAL
座面最大高度2.54 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度7.5057 mm
Base Number Matches1
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