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OM6241SDV

产品描述Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小288KB,共6页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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OM6241SDV概述

Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

OM6241SDV规格参数

参数名称属性值
包装说明FLATPACK, R-MDFP-F6
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (ID)8 A
最大漏源导通电阻0.85 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-MDFP-F6
元件数量2
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)32 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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