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M5M5187BP-15: 产品描述Standard SRAM, 64KX1, 15ns, CMOS, PDIP22, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-22; 产品类别存储存储; 文件大小136KB，共4页; 制造商Mitsubishi(日本三菱); 官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

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M5M5187BP-15概述

Standard SRAM, 64KX1, 15ns, CMOS, PDIP22, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-22

M5M5187BP-15规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP22,.3
针数	22
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
最长访问时间	15 ns
其他特性	POWER-DOWN
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PDIP-T22
JESD-609代码	e0
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	1
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	22
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64KX1
输出特性	3-STATE
可输出	NO
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP22,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.01 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

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	M5M5187BP-15	M5M5187BJ-20	M5M5187BJ-25	M5M5187BP-20	M5M5187BP-25	M5M5187BJ-15
描述	Standard SRAM, 64KX1, 15ns, CMOS, PDIP22, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-22	Standard SRAM, 64KX1, 20ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24	Standard SRAM, 64KX1, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24	Standard SRAM, 64KX1, 20ns, CMOS, PDIP22, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-22	Standard SRAM, 64KX1, 25ns, CMOS, PDIP22, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-22	Standard SRAM, 64KX1, 15ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIP	SOJ	SOJ	DIP	DIP	SOJ
包装说明	DIP, DIP22,.3	SOJ, SOJ24,.34	SOJ, SOJ24,.34	DIP, DIP22,.3	DIP, DIP22,.3	SOJ, SOJ24,.34
针数	22	24	24	22	22	24
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	15 ns	20 ns	25 ns	20 ns	25 ns	15 ns
其他特性	POWER-DOWN	POWER-DOWN	POWER-DOWN	POWER-DOWN	POWER-DOWN	POWER-DOWN
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PDIP-T22	R-PDSO-J24	R-PDSO-J24	R-PDIP-T22	R-PDIP-T22	R-PDSO-J24
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	1	1	1	1	1	1
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	22	24	24	22	22	24
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	64KX1	64KX1	64KX1	64KX1	64KX1	64KX1
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	NO	NO	NO	NO	NO	NO
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	SOJ	SOJ	DIP	DIP	SOJ
封装等效代码	DIP22,.3	SOJ24,.34	SOJ24,.34	DIP22,.3	DIP22,.3	SOJ24,.34
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.12 mA	0.12 mA	0.12 mA	0.12 mA	0.12 mA	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	YES	NO	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	J BEND	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	J BEND
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	-	-	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)

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