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MCR218-6G: 产品描述Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小52KB，共4页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn; 标准

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MCR218-6G概述

Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors

MCR218-6G规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	ON Semiconduc
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3
制造商包装代码	221A
Reach Compliance Code	_compli
Factory Lead Time	1 week
外壳连接	ANODE
配置	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率	100 V/us
最大直流栅极触发电流	25 mA
最大直流栅极触发电压	1.5 V
最大维持电流	30 mA
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3
最大漏电流	2 mA
通态非重复峰值电流	100 A
元件数量	1
端子数量	3
最大通态电流	8000 A
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
最大均方根通态电流	8 A
断态重复峰值电压	400 V
重复峰值反向电压	400 V
表面贴装	NO
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	40
触发设备类型	SCR
Base Number Matches	1

MCR218-6G相似产品对比

	MCR218-6G	MCR218-6	MCR218-4	MCR218-4G	MCR218-2G	MCR218	MCR218-2
描述	Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors	Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors	Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors	Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors	Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors	Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors	Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors
是否无铅	不含铅	含铅	含铅	不含铅	不含铅	-	含铅
是否Rohs认证	符合	不符合	不符合	符合	符合	-	不符合
零件包装代码	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	-	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	-	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3	3	3	3	3	-	3
制造商包装代码	221A	CASE 221A-09	CASE 221A-09	221A-07	221A-07	-	CASE 221A-09
Reach Compliance Code	_compli	_compli	_compli	_compli	_compli	-	_compli
外壳连接	ANODE	ANODE	ANODE	ANODE	ANODE	-	ANODE
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率	100 V/us	100 V/us	100 V/us	100 V/us	100 V/us	-	-
最大直流栅极触发电流	25 mA	25 mA	25 mA	25 mA	25 mA	-	25 mA
最大直流栅极触发电压	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	-	1.5 V
最大维持电流	30 mA	30 mA	30 mA	30 mA	30 mA	-	30 mA
JEDEC-95代码	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	-	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	-	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3	e0	e0	e3	e3	-	e0
最大漏电流	2 mA	2 mA	2 mA	2 mA	2 mA	-	2 mA
通态非重复峰值电流	100 A	80 A	80 A	100 A	100 A	-	100 A
元件数量	1	1	1	1	1	-	1
端子数量	3	3	3	3	3	-	3
最大通态电流	8000 A	8000 A	8000 A	8000 A	8000 A	-	8000 A
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	-	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	-	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified
最大均方根通态电流	8 A	8 A	8 A	8 A	8 A	-	8 A
断态重复峰值电压	400 V	400 V	200 V	200 V	50 V	-	50 V
重复峰值反向电压	400 V	400 V	200 V	200 V	50 V	-	50 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	-	NO
端子面层	Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin (Sn)	Tin (Sn)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	-	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	40	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	40	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
触发设备类型	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR	-	SCR
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-	1
ECCN代码	-	-	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99

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