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B1H9

产品描述Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 0.2A, 700V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小190KB,共2页
制造商EDAL
官网地址http://www.edal.com/
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B1H9概述

Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 0.2A, 700V V(RRM), Silicon,

B1H9规格参数

参数名称属性值
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流60 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压700 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
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