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HUF75939S3ST

产品描述22A, 200V, 0.125ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小877KB,共11页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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HUF75939S3ST概述

22A, 200V, 0.125ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

HUF75939S3ST规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)22 A
最大漏源导通电阻0.125 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态COMMERCIAL
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

HUF75939S3ST相似产品对比

HUF75939S3ST HUF75939P3
描述 22A, 200V, 0.125ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 22A, 200V, 0.125ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
Reach Compliance Code unknown unknown
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 22 A 22 A
最大漏源导通电阻 0.125 Ω 0.125 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL
表面贴装 YES NO
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1

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