22A, 200V, 0.125ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
参数名称 | 属性值 |
Reach Compliance Code | unknown |
Is Samacsys | N |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 200 V |
最大漏极电流 (ID) | 22 A |
最大漏源导通电阻 | 0.125 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-263AB |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | COMMERCIAL |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
HUF75939S3ST | HUF75939P3 | |
---|---|---|
描述 | 22A, 200V, 0.125ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | 22A, 200V, 0.125ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 200 V | 200 V |
最大漏极电流 (ID) | 22 A | 22 A |
最大漏源导通电阻 | 0.125 Ω | 0.125 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-263AB | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
认证状态 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
表面贴装 | YES | NO |
端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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