DDR DRAM, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-66
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | TSOP2, |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.75 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G66 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 22.22 mm |
| 内存密度 | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 66 |
| 字数 | 16777216 words |
| 字数代码 | 16000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 16MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP2 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 235 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 宽度 | 10.16 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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